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Sheet3
Sheet1
潜在失效模式
潜在失效后果
潜在失效起因/机理
风险顺序数
R.P.N
采取的措施
严重度
频度
探测度
措施执行结果
现行预防设计控制
现行探测设计控制
R.P.N
探测度
（D）
频度
（O）
严重度
(S)
无输出
无输出电压
输入主功率回路短路
尽可能拉大间距
选型时留足够余量
加宽走线，增加铜厚
无输出电压值,引发输入设备短路
不能达到外部控制的目的
合理搭配参数
1、基准源远离功率电路
2、信号地与功率地分开走线
参照元器件降额设计要求
输入纹波电流超出要求
性能下降，用户不满意
空载输入电流超标
1、选择合理参数供电电路
2、增加辅助电源电路
输入欠压失效或超出标准范围
1、芯片信号地与功率地分开走线
2、PWM芯片远离高温器件
3、加大芯片散热焊盘的面积
过早欠压无输出或输入欠压关不断
性能下降或达不到使用电压，用户无法正常使用
输出电压偏高或偏低
1、电压准源远离功率器件
2、电压基准源远离散热器件
3、电压采样靠近输出未端
4、功率地与采样地单独走线
选用普军级电阻
根据实际情况设计变压器，电感值
带容性负载不起机
1、检流电路留余量
2、检流电路适当延时
3、选择普军级电阻电容
1、元器件降额设计严格参照GJB35-93
2、选用市场成熟，高可靠元器件
3、选用1%精度电阻和基准源
1、设计时匹配参数
2、选择X7R电容
根据实际情况调整环路参数
输出电压不能调整
文件编号:
输出纹波高
性能下降，影响用户使用
1、功率回路尽可能小
2、输出回路先经过电容，再进行输出
3、每只电容上功率回路尽可能一样长
效率低
性能下降或过热损坏无输出
1、选用低导通内阻MOS管
2、选择电流大的MOS管
根据实际情况调整好参数
尽可能加粗加厚主功率回路铜铂
输出短路
PCB线与线之间距离满足安全间距的条件下尽量拉开
输出过流，短路保护失效
1、过流点设置在中间值
2、根据实际情况调整参数
选用普军级电阻电容，远离散热器件
输入与输出，输入与外壳，输出与外壳绝缘电阻值低
达不到用户要求，使用不满意
1、选用2KV耐压以上电容
2、电容封装1206
3、电容点绝缘胶
初次级之间安全间距符合安规要求
温度漂移大
1、元器件验证后再使用
2、选择温度等级高的元器件或材料
设计时，根据环境条件调整环路
电压调整率大
电流调整率大
设计时，根据环境条件调整环路，使之稳定
1、选用磁通宽的磁芯
2、根据条件调整磁性元件参数
3、磁性器件远离反馈环路
1、输入电压低端时，输出功率大于额定值10%以上
2、电流互感器放置在输入滤波电容后
3、根据实验条件优化互感器参数
不能正常使用
引脚位置不符要求
焊孔深度1.5mm以上
1、增加接触面积
2、沉金处理
3、焊盘孔深度1.5mm以上
外壳尺寸超出要求
1、引脚超出外壳长度最大6mm
2、引出脚直径不小于1mm
外壳检验严格按照外壳设计图执行
选用材料符合一般冲击，振动要求
选用200度以上材料
设计时做毛刺处理
热击穿
无输出或输出达不到要求
PCB布局时把发热器件分散开
PWM芯片，基准芯片，光耦等远离发热器件
选用导热系数高的导热胶
1、原边MOS管电压，电流，静电，栅极电压失效
2、原边MOS管散热接触不良，导致热击穿
4、PCB布局，布线不符合安全间距要求
1、PCB走线太窄，散热不足，烧断
2、引出脚接触不良
1、使能电路参数设置不合理
2、基准源受干扰
3、元器件降额余量不足
2、环路参数设计不合理
1、输入供电电路参数不合理
2、变压器感量达不到要求
3、器件本身导致
1、输入欠压电路参数不合理，容差设计不足
2、PWM芯片受干扰导致芯片内部基准不稳定
3、选用器件余量不足或器件本身失效
1、初级检流电路保护
3、调整电路失效或参数不合理
2、输出滤波电容耐纹波能力低或容值降低
4、PCB布局，布线不合理
1、功率器件选择不合理
2、磁性设计不合理
3、散热不良，导致元器件过热
4、PCB铜铂压降太大
1、检流电路参数设置不合理
2、元器件失效或老化
1、元器件温度等级不够
2、高低温环路不稳定
1、反馈环路不稳定
2、变压器，电感参数设计不合理
3、检流电路低压时限功率
3、PCB铜铂压降大
2、发热器件不分散，导致热量集中
3、敏感器件离发热器件太近
4、灌封胶选用不合理，导致热量散发不出去
4、输出电压采样端连接不合理
1、焊接引出端孔过大，导致偏差
2、振动，冲击导致位置偏移
3、引脚机械应力不足
4、引出脚本身直径过大
1、外壳设计公差过大
2、外壳机械强度低，冲击，振动后变形
3、外壳受热变形
4、元器件高度超出顶高外壳
5、灌封胶热胀冷缩顶高上盖
6、上下盖结合处有毛刺
1、根据实际情况设计
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