传感器功能材料课件.pptVIP

传感器技术是利用各种功能材料来实现检测目的的一门应用技术。各种功能材料是传感器技术发展的物质基础，新传感器的研发离不开新材料的应用。所谓功能材料是指那些具有特定的光学、电学、声学、磁学、力学、化学、生物学功能及相互转化功能，并应用于现代高新技术中的材料。它们优良的物理、化学、生物学性能可以用来制造传导信息、存储或记录、转化或交换能量的功能元器件。按其性能称为磁性材料、电阻材料、光学材料；或按其材质称为特殊合金、精密合金、特种陶瓷、功能高分子材料等。功能材料分类如下图。

敏感材料的功能?⑴感知功能：能够检测并且可以识别外界（或者内部）的刺激强度。?⑵响应功能：能够根据外界环境和内部条件变化，适时动态地作出相应的反应，并且反应灵敏、及时和恰当。?⑶信息识别与积累功能：能够识别传感网络得到的各类信息并将其积累起来。?⑷恢复功能：当外部刺激消除后，能够迅速恢复到原始状态。?⑸智能功能：部分材料还具有自诊断、自修复、自调节等智能功能。

敏感材料的特征?⑴敏感性好：包括灵敏系数高、响应速度快、适用范围宽、检测精度高、动态特性好、输出特性易于调整和补偿、选择性好等。?⑵可靠性好：包括耐热、耐磨损、耐腐蚀、耐振动、耐过载等。?⑶加工性好：包括易成型、批量生产实现集成化、尺寸稳定、互换性好等。?⑷经济性好：包括成本低、成品率高、性能/价格比高等。

一、半导体材料1.半导体材料的特性室温下半导体电导率为10-9~10-3S/m。半导体电导率的基本公式为

2.半导体材料的分类（1）元素半导体材料主要应用是硅，90%以上的半导体器件和电路用硅制作，此外还有硒、锗。l本征半导体lN型半导体lP型半导体（2）化合物半导体材料

3.半导体硅材料优点：优异的机械特性，便于批量生产微结构和微机电元件；与集成电路工艺兼容；微机械和为电子线路便于集成。（1）单晶硅为各向异性材料，有良好的机械性能和导热性能。l例如，单晶硅的密度为不锈钢的1/3.5，而弯曲强度是不锈钢的3.5倍，可见其强度-密度比和刚度-密度比均较高。l单晶硅的热导率为不锈钢的5倍，而热膨胀系数只有不锈钢的1/7，与低膨胀材料连接时，可避免热应力产生。l90%以上大规模、超大规模、甚大规模集成电路都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上的。在一块硅片上制作集成电路、微传感器、微结构等构成MEMS系统，可实现传感器技术的微型化、集成化、智能化、批量化.

（2）多晶硅l多晶硅是由硅的微晶粒组成的，这些晶粒的尺寸在0.1到十几微米之间，无序排列，不同晶粒有不同的单晶取向，晶粒之间的部位叫晶界。晶界对多晶硅电特性的影响可以通过掺杂原子浓度调节。l多晶硅具有同单晶硅类似的机械性能，只不过没有晶面，在受到相对比较低的应力时就会发生破裂。l多晶硅的制作一般利用低压化学气相沉积（LPCVD）将硅材料沉积在基片表面获得，也可以用增压化学沉积（PECVD）法生长多晶硅。l多晶硅电阻率高于单晶硅，并随掺杂原子浓度变化较大l多晶硅电阻温度系数随掺杂浓度在很大范围变化，适合制作热敏电阻。

（3）硅化合物氧化硅（SiO）、碳化硅和氮化硅（SiN）342l氧化硅是非常有用的电子材料，其介电常数低，电阻率非常高，且容易成形、粘附力强。l氧化硅通过热氧化或沉积（常压化学气相沉积AVCD、低压化学气相沉积LCVD、等离子增压化学气相沉积PECVD）法生成。l氧化硅可用作多层金属之间的绝缘层、腐蚀掩膜、离子注入和扩散掩膜等。

l氮化硅的电阻率非常高，介电常数低，是一种优良的电子材料。比起硅材料本身，氮化硅可耐受多种化学腐蚀。l氮化硅比氧化硅绝缘性能更好，常用于在器件之间以及器件与衬底材料之间提供绝缘。l碳化硅是一种性能优良的制模材料，硬度高，特别在高温下耐化学腐蚀性能好，可用于制作高温压力传感器的压敏膜片。

（4）锗，砷化镓l锗是一种单晶材料，电子迁移率约为硅的2.5倍，霍尔系数为硅的2倍，适合制作霍尔器件。l单晶硅和锗可以通过掺杂工艺制成光敏电阻，但硅灵敏度更大，工作波长约为0.8微米，锗约为1.4微米。l砷化镓是一种半导体化合物，是霍尔元件的理想材料，其缺点是屈服强度低，仅为硅的1/3，因此不适合作基底材料。

利用半导体材料制作的各种传感器利用的物理现象相应的元器件所用的材料压阻效应应变片Si、Ge、GaP、InSbSi、GePN结的变化电阻变化感压二极管、三极管热敏电阻、测辐射器Si、Ge、金属氧化物等Si、GaAs、、、P、N间的感压电势，半导体热电偶与金属间的电势光电效应摄像管、光电池CdS、PbS、、、InSb、Si、Ge光电势效应光二极管、CCD磁阻效应磁阻器件I层中的电势效应霍尔效应PIN光电二极管霍尔元件、霍尔IC、、Si、Ge、InSb、、、

二、功能陶瓷材料指利用