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《电子线路》第一章晶体二极管和二极管整流电路检测题

一、填空题

1、半导体是一种导电能力介于与之间的物理。

2、ＰＮ结具有性能，即：加电压时PN

结导通；加电压时ＰＮ结截止。

３、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的德正向压降为

V．

4、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的

现象，称为热击穿。

5、当二极管两端的正向偏置电压大于电压时，二极管才能导通。（门槛；

饱和；击穿）

6、简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成ＰＮ结。

二、判断对错

1、在半导体内部，只有电子是载流子。（）

2、在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）

3、少数载流子是自由电子的版代替称为P型半导体。（）

4、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（）

5、一般来说，硅晶体二极管的死区电压（门槛电压）小于锗晶体二极管的死区电压。（）

6、用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“+”的插孔中的测试表笔（通

常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的阳极，另一电极是阴极。（）

7、晶体二极管击穿后立即烧坏。（）

8、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿

电压后，反向电压会迅速增大。（）

三、选择题

1、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）

A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子

2、晶体二极管的阳极电位是—10V，阴极电位是—5V，则该晶体二极管处于（）

A、零偏B、反偏C、正偏

3、面接触型晶体二极管比较适用于（）

A、小信号检波B、大功率整流C、大电流开关

4、用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（）

A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1KΩC、R×10KΩ

5、当坏境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）

A、减小B、增大C、不变

6、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）

A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体

7、当晶体二极管工作在伏安特性的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则

晶体二极管相当于（）

A、大电阻B、断开的电阻C、接通的电阻

8、当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）

A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路

四、问答题

1、若将简单的桥式整流电路接成如图所示的形式，将会出现什么结果？应如何改正？

2、两个稳压管，稳压值分别为5V和6V，将它们组成如图所示的四种电路，设输入端电压

V1值是20V，求个电路输出电压V2的值是多少？

3、指出下图所示稳压电路中的错误，并将正确的图画出来。

五、计算题

1、下图所示电路中，若直流电压表VL读书是110V，负载电阻RL=80Ω，问：

①直流电流表A的读书为多少？②交流电压表V2的读书是多少？

RI

2、画出半波整流电路图，若负载电阻L=0.9KΩ，负载电流L=10mA，试求：

①电源变压器的二次侧电压V2;

②整流二极管承受的最大反向电压VＲＭ：

③流过二极管的平均电流IＶ。

3、画出桥式全波整流电路图，若输出电压VL=9V，负载电