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金属互连结构的制作方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102881648A
(43)申请公布日2013.01.16
(21)申请号CN201210396195.7
(22)申请日2012.10.17
(71)申请人上海宏力半导体制造有限公司
地址201203上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
(72)发明人夏建慧顾以理奚裴
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
代理人骆苏华
(51)Int.CI
H01L21/768
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
金属互连结构的制作方法
(57)摘要
一种金属互连结构的制作方法，包
括：提供半导体衬底；在其上依次形成介
质层、第一缓冲层、第一图案硬掩模层、
第二缓冲层、第二图案硬掩模层，所述第
一图案硬掩模层和第二图案硬掩模层为互
相交叉的线条状图形；以第二图案硬掩模
层和第一图案硬掩模层为掩模，刻蚀第二
缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成
金属互连结构的制作方法--第1页
金属互连结构的制作方法--第2页
缓冲层图案；以所述缓冲层图案为掩模，
刻蚀介质层至在第二图案硬掩模层下方的
第二缓冲层消失后，第一图案硬掩模层下
方的第一缓冲层消失前停止，以在所述介
质层内形成多个通孔及连接至少两个通孔
的沟槽；去除残留的第一缓冲层。本发明
以所述缓冲层图案为掩模刻蚀介质层，可
以在介质层中同时形成金属互连结构中的
沟槽和通孔。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
金属互连结构的制作方法--第2页
金属互连结构的制作方法--第3页
权利要求说明书
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成第一图案硬掩模层，所述第一图案硬掩模层具
有多个线条状图形；
在所述第一缓冲层和所述第一图案硬掩模层上形成第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上形成第二图案硬掩模层，所述第二图案硬掩模层具
有多个线条状图形，所述第二图案硬掩模层的线条状图形和所述第一图案硬
掩模层的线条状图形互相交叉；
以所述第二图案硬掩模层和第一图案硬掩模层为掩模，刻蚀所述第二缓
冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成缓冲层图案，所述缓冲层图案包括形
成在第二缓冲层中、与所述第二图案硬掩模层图形相对应的第
二图案和形成在第一缓冲层中、与第一及第二图案硬掩模层叠
合图形相对应的第三图案；
以所述缓冲层图案为掩模，刻蚀所述介质层，所述刻蚀进行至在第二图
案硬掩模层下方的第二缓冲层消失后继续进行，在第一图案硬掩模层下方的
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