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直拉单晶工艺常识--第1页
直拉单晶工艺常识
硅的固态密度:克/cm,液态密度克/cm,呈灰色金属光泽,性质较脆,
切割时易断裂,比重较小,硬度较大,属于非金属,是极为重要的半导体
元素,液态时其表面张力较大,从液态到固态时体积膨胀较多。
氧在硅晶体中的分布是不均匀的,一般头部含量高,尾部含量低,晶
体中心部位含量高,边缘含量低。
碳在晶体中的分布是中心部位低,边缘部位高。
电阻率:单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力,
晶向:一簇晶列的取向。
母合金:生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。
偏度:晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。
空穴:半导体价带结构中一种流动的空位,其作用就像一具具有正效
质量的正电子荷一样。
迁移率:载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。
载流子:固体中一种能传输电荷的载体,又称电载流。
少数载流子寿命:在光电作用下,非平衡少数载流子由产生到复合存
在的平均时间。
直拉单晶工艺常识--第1页
直拉单晶工艺常识--第2页
杂质分凝:在结晶过程中,由于杂质偏析,出现杂质分配现象叫杂质分
凝。
扩散:物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。
热对流:液体或气体流过固体表面时,由于固体对液体或气体分子有吸
附与摩擦作用,于是从固态表面带发挥或给于固体以热,这种传递热的方
式叫热对流。
热应力:是压缩力,也可以叫拉伸力,要看液体中心部位对边缘部分的
相对收缩或膨胀而定,大小取决于晶体的温场分布。
温度梯度:只温度在某方向的变化率用DT/DR表示,指某点的温度T
在R方向的变化率,在一定距离内某方向的温度相差越大,单位距离内温
度变化越大,温度梯度也越大,反之越小。
对石英坩埚的质量要求:1.外观检查:无损伤,无裂纹,无明显划
痕,无气泡,无杂质点,100%透明;2.耐高温:在1600°C下经16小时
后不变形,不失透,经1500C硅液作用下无白点;3.纯度:%%,其中硼含
量小于10ppm;4.直径公差土;5.高度公差土1mm。
对高纯石墨的要求:纯度高,强度大,结构致密均匀,无孔洞,无
裂纹,耐磨。
装料结束加热前应检查的项目:水路是否畅通,电气是否正常,机
械震动是否正常,取光口是否对好。
直拉单晶工艺常识--第2页
直拉单晶工艺常识--第3页
跳硅的含义及如何避免跳硅
跳硅是指熔硅过程中熔硅在坩埚中沸腾并出现飞溅出来的现象;避免
跳硅1.仔细挑选石英坩埚和多晶硅;2.熔硅时温度不能过高;3.流动气氛
下熔硅;4.挂边和搭桥时要及时降温;5.增大氩气,降低温度,提高埚
位。
拉晶过程中,埚转不稳什么原因相应的解决方法
答:1.坩埚轴卡滞现象(清除波纹管杂质);2.楔形带松动(调整楔
形带张力);3.测速电机有问题(检查测速电机刷头或更换测速电机);
4.坩埚轴定位轴工作不良(清洁润滑轴或更换轴承);5.给定电位器接触
不良(更换电位器)。
过流产生的原因及排除方法
答:1.加热器打火;2.氩气不纯;3.加热电极与炉内绝缘差;4.高温
挥发杂质过多;解决方法:清理所有石墨件,连接件;低温大氩气长时间
煅烧;更换绝缘体,提高绝缘度,改变氩气纯度;电极对地电阻10欧。
籽晶升降不稳有抖动现象什么原因解决方法
答:1.卷丝轮与牵引套链接松动;2.钢丝绳有毛刺或折痕;3.减速机
润滑不良;4.电刷器接触不良。方法:加固卷丝轮与牵引套、更换钢丝
绳、清洁润滑、清理调整电刷环。
硅电阻受那几个方面的影响
直拉单晶工艺常识--第3页
直拉
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