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5.1金属-氧化物-
（MOS）场效应管
1.N沟道增强型MOSFET
2.N沟道耗尽型MOSFET
3.P沟道MOSFET
4.沟道长度调制效应
5.MOSFET的主要参数
场效应管的分类：N沟道
增强型
MOSFETP沟道
(IGFET)N沟道
FET绝缘栅型耗尽型
场效应管P沟道
JFETN沟道
（耗尽型）
结型P沟道
耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在
增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道
5.1.1N沟道增强型MOSFET
1.结构（N沟道）L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度
通常WL
5.1.1N沟道增强型MOSFET
1.结构（N沟道）
剖面图符号
5.1.1N沟道增强型MOSFET
2.工作原理
（1）v对沟道的控制作用
GS
当v≤0时
GS
无导电沟道，d、s间加电压时，也
无电生。
当0vV时
GST
产生电场，但未形成导电沟道（感生沟
道），d、s间加电压后，没有电生。
当v≥V时
GST
在电场作用下产生导电沟道，d、s间加
电压后，将有电生。
v越大，导电沟道越厚
GS
VT称为开启电压
2.工作原理
（2）vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGSVT）时，
vDS→iD→沟道电位梯度
→靠近漏极d处的电位升高
→电场强度减小→沟道变薄
整个沟道呈楔形分布
2.工作原理
（2）vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGSVT）时，
vDS→iD→沟道电位梯度
当vDS增加到使vGD=VT时，
在紧靠漏极处出现预夹断。
在预夹断处：vGD=vGS-vDS
=VT
2.工作原理
（2）vDS对沟道的控制作用
预夹断后，vDS→夹断区延长
→沟道电阻→iD基本不变
2.工作原理
（3）vDS和vGS同时作用时
vDS一定，vGS变化时
给定一个vGS，就有一条不同
的iD–vDS曲线。
3.V-I特性曲线及大信号特性方程
（1）输出特性及大信号特性方程
iDf(vDS)vconst.
GS
①截止区
当v＜V时，导电沟道尚
GST
未形成，iD＝0，为截止工
作状态。
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