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高压下材料相变及热力学性质第一性原理研究进展
Researchprogressoffirstprinciplesofphasetransformationandthermodynamicpropertiesofmaterialsunderhighpressure
PAGE\*ROMAN
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摘要
ZnO宽禁较带，是直接带隙半导体材料，其带隙约为3.37eV，室温下热能为26meV，低于其60meV激子的结合能。ZnO成本低，熔点高，易掺杂且无毒，具有热稳定性，耐辐射性和化学稳定性。最近，基于密度泛函理论
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