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Pentacene基有机场效应晶体管的稳定性研究的开

题报告

1.研究背景

有机场效应晶体管（OFETs）是一种新型的有机电子器件，它具有

低成本、柔性、低功耗等优点，在大面积显示、传感、光电子和信息存

储等领域有重要的应用。Pentacene是OFETs中最常用的有机半导体材

料之一，具有高载流子迁移率（μ），优异的电学性能，极大地促进了

OFETs的研究和应用。然而，OFETs的稳定性是限制其实际应用的主要

问题之一。Pentacene晶体管在长时间工作后，由于其极高的单界面面积

/体积比，容易发生自注电流，粘滞效应等不可逆的退化现象，导致其性

能不可预测且难以稳定。因此，研究Pentacene基有机场效应晶体管的

稳定性，是解决其实际应用问题的关键。

2.研究目的和意义

本研究旨在通过分析和研究Pentacene基有机场效应晶体管的电学

性能、结构特征及其退化机理，探讨提高其稳定性的方法和途径。研究

对于拓展OFETs的应用领域，提高其实际应用价值，具有重要的科研和

社会意义。

3.研究内容和方法

（1）Pentacene基OFETs的制备方法和电学特性测试

采用真空蒸发法、自组装法、喷墨打印法等制备不同结构和性能的

Pentacene基OFETs器件，并利用场效应晶体管测试系统（FETtest

system）测量其电学性能，包括电流电压特性、输出特性、迁移率等参

数。

（2）Pentacene基OFETs的结构特征和表征方法分析

采用激光共聚焦显微镜（CLSM）、扫描电子显微镜（SEM）、透射

电镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）等表征方法，对制备的不同结构的

Pentacene基OFETs器件进行结构分析和表征。

（3）Pentacene基OFETs的稳定性研究

通过长时间稳定性测试，分析Pentacene基OFETs器件的退化机理

和稳定性问题，探究改善器件稳定性的方法和途径。同时，采用能带结

构、载流子传输等计算模型，对器件的稳定性产生原因进行理论分析和

研究。

4.预期成果

通过以上研究内容和方法，预期取得以下成果：

（1）制备和表征出不同结构和性能的Pentacene基OFETs器件；

（2）分析和研究Pentacene基OFETs器件的电学性能和结构特征，

探究其稳定性产生的原因；

（3）通过实验和理论模型，探究Pentacene基OFETs器件稳定性

的改善方法和途径；

（4）提出并证明了一种有效的提高Pentacene基OFETs器件稳定

性的方法或方案，及其理论依据。