P-Si TFT泄漏区带间隧穿电流的建模及仿真研究的开题报告.pdfVIP

P-SiTFT泄漏区带间隧穿电流的建模及仿真研究的

开题报告

一、选题背景

目前P-SiTFT在液晶显示器等领域中应用广泛，为了提高P-SiTFT

的性能，需要深入研究器件内部的物理机制。其中泄漏区带间隧穿电流

是影响P-SiTFT性能的重要因素，因此需要对泄漏区带间隧穿电流进行

建模和仿真研究。

二、研究内容

1.分析P-SiTFT内部的物理机制，探究导致泄漏区带间隧穿电流的

原因。

2.基于物理模型，建立泄漏区带间隧穿电流的数学模型。

3.利用数值模拟软件，对P-SiTFT泄漏区带间隧穿电流进行仿真研

究。

4.对仿真结果进行分析和优化，探讨如何降低泄漏区带间隧穿电流

对器件性能的影响。

三、研究意义

1.通过深入研究泄漏区带间隧穿电流的物理本质，可以为进一步提

高P-SiTFT的性能提供理论支持。

2.建立数学模型和进行仿真研究，可以更好地理解泄漏区带间隧穿

电流的变化规律，为优化器件结构提供参考。

3.降低泄漏区带间隧穿电流对器件性能的影响，可以使P-SiTFT在

液晶显示器等领域的应用更加广泛和稳定。

四、研究方法

1.理论分析：分析P-SiTFT内部的物理机制，找出导致泄漏区带间

隧穿电流的原因。

2.数学建模：基于物理模型，建立泄漏区带间隧穿电流的数学模型。

3.数值模拟：利用数值模拟软件，对P-SiTFT泄漏区带间隧穿电流

进行仿真研究。

4.分析优化：对仿真结果进行分析和优化，探讨如何降低泄漏区带

间隧穿电流对器件性能的影响。

五、预期成果

1.建立P-SiTFT泄漏区带间隧穿电流的数学模型和仿真模型。

2.分析泄漏区带间隧穿电流对P-SiTFT性能的影响，探讨如何降低

其对器件性能的影响。

3.提出优化建议，为进一步提高P-SiTFT性能提供参考。

六、工作计划

1.前期调研和理论分析，对P-SiTFT内部的物理机制和泄漏区带间

隧穿电流进行深入研究。

2.建立泄漏区带间隧穿电流的数学模型，并进行数值模拟。

3.对仿真结果进行分析和优化，提出优化建议。

4.撰写论文并进行答辩。