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料开发与应用2010年8月
文章编号:1003-1545(2010)04-0068-05
ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展
江自然
(中南大学材料科学与工程学院,湖南长沙410083)
摘要:概述了透明导电薄膜的分类及ITO薄膜的基本性质,综述了用于制备ITO薄膜的磁控溅射法、真空蒸
发法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、化学气相沉积法,论述了不同制备方法的优缺点。最后,介绍了ITO薄膜的
应用现状,并对ITO薄膜的发展趋势进行了展望。
关键词:ITO薄膜;透明导电薄膜;制备方法;研究进展
中图分类号:TB383文献标识码:A
透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性具有一系列独特性能,如导电性能好(电阻率可
能复合在一体的光电材料。透明导电薄膜既有低达10-48#cm),带隙宽(315~416eV),载
21-3
高导电性,又在可见光范围内有很高的透光性,流子浓度(10cm)和电子迁移率(15~45
2-1-1
且在红外光范围内有很高的反射性。这种光电cmVs)较高;可见光透过率高达85%以
薄膜材料打破了人们的传统观念,即在自然界上;对紫外线具有吸收性,吸收率大于85%;对红
中,透明的物质通常是不导电的,如玻璃、水晶外线具有反射性,反射率大于80%;对微波具有
等;而导电的或者导电好的物质又往往是不透明衰减性,衰减率大于85%;加工性能良好;膜层硬
的,如金属、石墨等。透明导电薄膜正是因为透度高且既耐磨又耐化学腐蚀(氢氟酸等除外);膜
明与导电性能相结合,成为功能材料中具有特色层具有很好的酸刻、光刻性能,便于细微加工,可
的一类薄膜,在光电产业有着广阔的应用以被刻蚀成不同的电极图案等等[4]。基于ITO
前景[1]。的众多优异性质,近年来,用IT0作为透明导电
无机物类透明导电薄膜大体可分为金属膜、薄膜,在工业上应用广泛,在高新技术领域也起
氧化物膜以及其他化合物膜,其中以氧化物膜占着重要的作用。因此,了解ITO薄膜的制备方
主导地位。透明导电氧化物(TransparentCon-法,并探讨其发展趋势、未来研究方向是非常必
ductiveOxide,简称TCO)薄膜主要包括In、Zn、Sn要的。
和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材
料[2]。目前氧化物透明导电材料体系包括ITO2制备方法
(Sn掺杂InO)、AZO(Al掺杂ZnO)、FTO(F掺
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杂SnO)以及最近发展的MIO(Mo掺杂InO)制备ITO薄膜的方法有很多种,几乎所有制
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等[3]。其中氧化铟锡(IndiumTin
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