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AZO透明导电薄膜的结构与光电性能

作者：李金丽，邓宏，刘财坤，LIJin-li，DENGHong，LIUCai-kun

作者单位：电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

刊名：

电子元件与材料

英文刊名：JOURNALOFELECTRONICCOMPONENTSANDMATERIALS

年，卷(期)：2007，26(1)

被引用次数：2次

1.KuoSY.ChenWC.LaiFIEffectsofdopingconcentrationandannealingtemperatureonproperties

ofhighly-orientedAl-dopedZnOfilms2006

2.JeongSH.LeeJW.LeeSBDepositionofaluminum-dopedzincoxidefilmsbyRFmagnetronsputtering

andstudyoftheirstructural,electricalandopticalproperties2003

3.FuEG.ZhuangDM.ZhangGPropertiesoftransparentconductiveZnO:Althinfilmspreparedby

magnetronsputtering2004

4.CaoHT.PeiZL.GongJPreparationandcharacterizationofAlandMndopedZnO(ZnO:(Al,Mn2004

-

5.陆峰.徐成海.曹洪涛透明导电ZnO:Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析[期刊论文]真空科学与技术2003(01)

6.KimKH.ParkKC.MaDYStructural,electricalandopticalpropertiesofdopedzincoxidefilms

preparedbyradiofrequencymagnetronsputtering1997(12)

7.XuZQ.DengH.LiYCharacteristicsofAl-dopedc-axisorientationZnOthinfilmspreparedbythe

sol-gelmethod2006

1.期刊论文张丽伟.卢景霄.段启亮.王海燕.李瑞.靳锐敏.王红娟.张宇翔.ZHANGLi-wei.LUJing-xiao.DUANQi-

liang.WANGHai-yan.LIRui.JINRui-min.WANGHong-juan.ZHANGYu-xiang磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究

-电子元件与材料2005,24(8)

用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响.结果表明:氧气和氩气的体

积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻

变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大.

2.期刊论文齐玉明.梅冰.杨光.QIYu-ming.MEIBing.YANGGuang中频交流磁控溅射制备AZO薄膜及退火工艺-电

子元件与材料2007,26(8)

以锌铝合金为靶材,采用工业生产设备,用中频交流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜,研究了氩氧比、退火温度、

退火时间对薄膜结构、光学和电学性能的影响.结果表明,氩气和氧气体积流量比为3:1时常温下得到薄膜的方阻值最低,400℃真空退火1h后薄膜可见光

平均透过率由84.0%上升到86.7%,方阻值由5000Ω/□下降到108Ω/□.

3.期刊论文许莹.窦玉博.王娟.XUYing.DOUYu-bo.WANGJuan溶胶-凝胶法制备AZO薄膜及Al掺杂机理的研究-功

能材料2010,41(z2)

采用溶胶-凝胶法和浸渍提拉法成功制备了Al掺