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一曼苎纳米器件与技术
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ＲＴＤ器件参数和测量方法
共振隧穿器件讲座（８）
——
郭维廉
（天津工业大学信息与通讯工程学院，天津３００１６０；专用集成电路国家级重点实验室，
石家庄０５００５１；天津大学电子信息工程学院，天津３０００７２）
摘要：表征ＲＴＤ器件特性和性能的参数分为直流负阻、等效电路及频率响应和开关时间三类。
系统全面地介绍这三类参数及其测量方法，为测量和评价ｋＴＤ的器件性能打下良好的基础。
关键词：ＲＴＤ特性和测量；测量方法；直流参数；电路参数；瞬态参数
中图分类号：ＴＮ３１文献标识码：Ａ文章编号：１６７１—４７７６（２００６）１２—０５６４—０８
ＤｅｖｉｃｅＰａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔＭｅｔｈｏｄｏｆⅪＩＤ：
Ｌｅｃｔｕｒｅ０ＲＴＤ（８）ｆ
ＧＵ０ｒｅｉ．１ｉａｎ
（ＳｃｈｏｏｏｌｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｏｉｎＥｎｇ．。ＴｉａｎｊｉｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０ｏ１６ｏ。Ｃｈｉｎａ；
ＮａｔｉｏｎａｌＫｅｙＬａ６０ｒ哟，ｙｏｆＡＳＩＣ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ０５￣５１，Ｃｈｉｎａ；
ＳｃｈｏｏｏｌｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｏｉｎＥｎｇ．，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ。Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｐａｒａｍｅ￣ｒｓｆｏｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｉｎｇｔｈｅＲＴＤｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄｄｅｖｉｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓ－
ｔｉｃｓｃａｎｂｅｄｉｖｉｄｅｄｉｎｔｏｆｏｌｌｏｗｉｎｇｔｈｒｅｅｃｌａｓｓｅｓ：Ｄ．Ｃ．ＮＤＲｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｐａｒｍａｅ—
ｔｅｒｓ；ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｒｅｓｐｏｎｓｅａｎｄｓｗｉｔｃｈｉｎｇｔｉｍｅ．Ｔｈｅｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｐａｒｍａｅｔｅｒｓａｎｄｍｅａｓｕｒｉｎｇｍｅｔ—
ｈｏｄｓｗｅｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｓｙｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙａｎｄｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ．Ｉｔｍａｋｅｓａｇｏｏｄｂａｓｉｓｏｆｒｍｅａｓｕｒｉｎｇａｎｄ
ｅｖａｌｕａｔｉｎｇｔｈｅｄｅｖｉｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＲＴＤ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｎＲＴＤ；ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄ；Ｄ．Ｃ．ｐａｒｍａｅｔｅｒｓ；
ｃｉｒｃｕｉｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓ；ｒｅ印ｏｎｓｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓ
小信号等效电路特性和器件在高频或高速工作时的
１引
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