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3.1.2晶体二极管开关特性3.1.3晶体三极管的开关特性
3.2基本逻辑门电路3.2.1二极管与门电路及或门电路3.2.2.晶体三极管非门电路
3.2.3二极管-三极管与非门3.3TTL逻辑门3.3.1TTL与非门工作原理3.5MOS逻辑门
3.5.1MOS场效应管3.5.2NMOS逻辑门
3.5.3CMOS逻辑门3.5.4CMOS电路使用注意事项3.6编程逻辑器件(PLD)简介3.6.1PLD概述3.6.2PLD的编程工艺3.6.3PLD的基本结构
3.6.4PLD的开发过程+5VFR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5ABDE10导通截止截止高阻态功能表低电平起作用符号ABF?功能表高电平起作用ABF符号?用途:总线2.数据的双向传输1。作为TTL电路与总线间的接口电路E1E2E3总线010E1、E2、E3分时接入高电平ENQPEF1A0EN1???2.3.4TTL电路使用常识1.TTL产品系列1)74系列—标准的TTL系列,PCC=10mW,tpd=9ns。2)74L系列—低功耗系列,PCC=1mW,tpd=33ns。3)74H系列—高速系列,PCC=22mW,tpd=6ns。4)74S系列—肖特基系列,PCC=109mW,tpd=3ns。4)74LS系列—低功耗肖特基系列,PCC=2mW,tpd=9ns。2.TTL门电路多余输入端的处理 F=AB1)与非门的不用输入端的处理AB1悬空2)或非门的不用输入端的处理F=A+BABABAB0≥1≥1ABA.BA.B.1=A.B.BA.B=A+B+0A+B=A+B+BA+B=3、TTL门电路的开门电阻Ron和关门电阻RoffUi=Ii×Rii1CCRR0.7V+-=Ri=1.8K+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1RiUi×Ri=Uon1.8VRon开门电阻Ron3、TTL门电路的开门电阻Ron和关门电阻Roff+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1RiUiUi=Ii×Rii1CCRR0.7V+-=×Ri=Uoff0.8VRi=0.8KRoff关门电阻Roff4.TTL电路带灌流负载能力强于带拉流负载能力TTL与非门IOL(max)=16mA,IOH(max)=0.4mA5V若LED正常工作电流为10-20mAN沟道增强型MOS管NNP-SiDGSUDSUGSMOS管逻辑符号 (a)N沟道增强型(b)N沟道耗尽型SDGBuGS0UTSDGBiDuGS0UPiD(c)P沟道增强型(d)P沟道耗尽型SDGB﹣iDuGS0UTSDGB0UP﹣iDuGS1.NMOS反相器●uouiT1T2●●VDD2.NMOS逻辑门NMOS与非门●●FAT1TL●T2BVDDNMOS或非门T1T2●●●AFVDDTL●BNMOS与或非门AT1T2BCT3T4DFVDDTL1CMOS非门UCCST2DT1AFNMOS管PMOS管CMOS电路UCCST2DT1uiuoui=0截止ugs2=?UCC导通u0=“1”工作原理:UCCST2DT1uiuoui=1导通截止u0=“0”工作原理:uO12CMOS非门的电压传输特性ABCDEuI0VDD12VDD2.CMO
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