MSM结构紫外探测器的研究 .pdfVIP

龙源期刊网

MSM结构紫外探测器的研究

作者：郭明侯丽新邢淑芝韩颖

来源：《现代交际》2014年第12期

摘要[]金属-半导体-金属（MSM）结构探测器结构简单，可避免材料因高掺杂所带来的困

难，简化了加工、制备的过程。MSM型紫外探测器优点多：高增益、暗电流低、响应速率

快、大带宽以及高灵敏度。但MSM型探测器工作在偏压状态下，工作偏压决定了探测器耗尽

区的范围，因此，探测器的特性参数与工作偏压有关。本文主要从理论分析研究硅基MSM光

电探测器结构原理及工艺特点。

关键词[]紫外光电探测器金属-半导体-金属

中图[分类号]TN23;[文献标识码]A;[文章编号]1009-5349（2014）12-0096-01

近些年，紫外探测技术飞速发展，高性能紫外探测器的研究已经达到了白热化的程度。紫

外光电探测器被广泛应用于各个领域。有紫外通信、光谱学、导弹预警、火灾监测与预警、线

路监测等。而随着科学技术的不断提升，单片高密度的光电集成是今后光学的一个主要发展方

向。其中，硅基MSM结构光电探测器具有易于制作、结构简单、响应波长覆盖了光通信波

段、电容低，可作为光互连系统的高速光电响应器件。

一、MSM结构光电探测器工作原理

在各种电子器件的制备过程中，要想实现器件与外电路的连接，最重要的是半导体与金属

的接触。通常，半导体与金属材料接触分为两种方式：第一是欧姆接触，第二是肖特基接触，

其中的欧姆接触不能对电流进行整流，而肖特基接触对流过接触点的电流具有整流作用，类似

p-n结。根据半导体和金属接触方式的不同，MSM结构光电探测器可分为欧姆接触的光电导型

探测器和肖特势垒光生伏特型光电探测器。

（一）欧姆接触

不论是n型半导体还是p型半导体材料都存在较高的表面态，在与金属接触中都可以表现

出具有整流的特点，接触性质不受金属的功函数的影响，因此，与半导体之间形成欧姆接触不

能用选择金属材料的方法。从理论上看，半导体材料的复合中心可以通过材料表面缺陷得到，

利用表面耗尽区的复合作用近似形成欧姆接触，但在实际欧姆接触器件的制备中，多是利用隧

道效应来形成欧姆接触，这是高掺杂半导体与金属接触后发生的现象，当金属与半导体接触

时，可在接触表面形成势垒区，半导体掺杂浓度越高会使势垒变的越薄，半导体内能量低于势

垒高度的电子也可能穿过势垒进入到金属中，会形成较大的隧道电流。因此，金属和半导体接

触电阻可以很小。

龙源期刊网

（二）肖特基接触

在半导体和金属之间形成的肖特基接触之所以能够对电流具有整流作用，其主要原因是金

属和半导体具有不同的功函数。在绝对零度时，能量低于费米能级EF以下的所有能级被电子

占据，能量高于费米能级EF的能级均为空态;在温度高于绝对零度时，在费米能级附近的少数

电子可跃迁到高于EF的能级上，主要通过热激发形式完成，但不能逸出金属体外，所以，金

属中的电子是在势阱中运动。MSM结构肖特基光电探测器不存在欧姆接触问题，并且，从制

备工艺流程看，比APD、PIN光电器件更为简单。第一，选用一种半导体材料作为基底材料。

第二，通过外延生长形成光吸收的有源区。第三，在有源区表面上淀积金属叉指电极，形成肖

特基接触，通过金属焊盘与外部电路连接。MSM结构紫外探测器本质上是肖特基势垒二极

管，由一对串联的金属-半导体接触形成。

二、MSM型紫外探测器制备工艺

以硅基锗MSM光电探测器的制备为例，说明其工艺过程，在硅基衬底上利用外延生长法

形成锗膜，在器件制备之前需要经过清洁，包括去除杂质离子、油脂和自然氧化物等。清洁完

成之后，进行刻蚀工艺，刻蚀出电极区域的几何图形窗口。因为锗在空气中很快会被氧化，所

以在溅射电极之前需要再一次去除锗表面的氧化层，然后可进行电极的溅射。最后采用lift-off

剥离光刻胶，得到图形化的电极，利用氮气吹干。

三、结论与展望

实验制备工艺与实验环境中的很多因素，可导致在制备过程中引入误差，实