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半导体制造过程控制系统（PCS）系列：蚀刻控制系统_4.等离子体蚀刻技术.docx

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    4.等离子体蚀刻技术

    4.1等离子体蚀刻的基本原理

    等离子体蚀刻技术是半导体制造过程中的一种关键工艺，用于在半导体材料上精确地去除特定区域的材料，形成所需的图形结构。等离子体蚀刻的基本原理是利用等离子体中的高能离子和活性自由基与半导体材料表面发生化学和物理反应，从而实现材料的精确去除。

    等离子体是由气体在高能电场或磁场的作用下电离生成的，其中包含正离子、负离子、电子和中性自由基。这些高能粒子具有很高的化学活性，可以与半导体材料表面的原子或分子发生反应，形成挥发性的产物，从而实现材料的去除。等离子体蚀刻过程可以根据反应类型分为两种主要类型：化学蚀刻（C

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