半导体材料发展历程.doc

简述半导体材料发展历程

半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。随着半导体产业的发展，半导体材料也在逐渐发生变化，已经从第一代半导体材料过渡到第三代半导体材料。

第一代半导体材料

主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。应用于大规模集成电路中，产业链成熟，成本低。目前9万以上半导体器件由硅（Si）材料制作。

第二代半导体材料

主要是指化合物半导体材料。如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；直接带隙、光电性能优越。适合制作高频、高速、大功率及发光电子器件。

第三代半导体材料

主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2ev,具有可见光至紫外光发光特性，搞高压、高温和高辐射性能优越，可承受大功率。可用于电力电子器件、激光器、半导体照明等领域。