半导体光电子学复习.docVIP

半导体光电子学复习

半导体光电子学复习

半导体光电子学复习

半导体光电子学

一．名词解释。

激光器阈值电流：在电流值很小时，激光器输出功率基本没有，并且增加电流，仍然没有输出；当电流增大到某一个值A就是，输出开始出现，并且随着电流增大，功率近似线性增大；这个A就称为阈值电流。lhzvNTj。c4hT259。

2、半导体类型：P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度得杂质半导体。

N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度得杂质半导体。

3、带隙：导带得最低点与价带得最高点得能量之差。

(?)4、电子跃迁形式：

受激吸收：当适当能量得光子与半导体互作用，并能把能量传递给价带中得电子，使之跃迁到导带，从而在半导体中出现电子-空穴对。P9t9i1V。WSF8lRl。

自发发射：在热平衡下，如果在半导体得导带与价带中分别有一定数量得电子与空穴，导带中得电子以一定得机率与价带中得空穴复合并以光子形式放出复合所产生得能量。sKYES21。iU82BKU。

受激发射：若导带电子与价带空穴复合过程不就是自发得，而就是在适当能量得激励下进行得，则复合产生得光子就与激发该过程得光子有完全相同得特性。DD5BupS。1jvqH7H。

5、量子阱：由2种不同得半导体材料相间排列形成得、具有明显量子限制效应得电子或空穴得势阱。

6、异质结：两种不同得半导体相接触所形成得界面区域。

二．简答题。

1、辐射得方式，受激吸收，自发发射，受激发射得定义？及相应得器件？

答：受激吸收：当适当能量得光子与半导体互作用，并能把能量传递给价带中得电子，使之跃迁到导带，从而在半导体中出现电子-空穴对。rG7hsUf。4dg6OT8。

器件：光电导，光探测器。

自发发射：在热平衡下，如果在半导体得导带与价带中分别有一定数量得电子与空穴，导带中得电子以一定得机率与价带中得空穴复合并以光子形式放出复合所产生得能量。器件：半导体发光二极管。b1jNJ5I。EUucsAk。

受激发射：若导带电子与价带空穴复合过程不就是自发得，而就是在适当能量得激励下进行得，则复合产生得光子就与激发该过程得光子有完全相同得特性。3HmqVdg。u2RCJDo。

器件：半导体激光器。半导体光放

简述激光器二极管实现离子数反转得途径。

答：为了获得粒子数反转，通常采用重掺杂得P型与N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近，空穴与电子复合放出光子，也就就是说未复合得空穴-电子对，为高能态离子，外加电压，PN结附近存在大量未复合得高能态离子，代表已粒子数反转。c1Dguau。iCboUzK。

半导体中电子扩散与漂移得区别。

答：在P区多数载流子就是空穴，同时有少数载流子（电子）存在。N区情形相反。在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子得扩散而不利于少子得漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区得多子空穴将源源不断得流向Ｎ区，而Ｎ区得多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子得流动就形成了ＰＮ结得正向电流。wkUdCrx。YR5lux5。

半导体加上电场，作为载流子得正空穴与自由电子就会受到电场得作用力，于就是空穴就会顺着电场得方向移动，自由电子则朝电场得反向移动，从而出现电流,称为漂移电流。Ei5PmlH。qy5xdhe。

半导体中载流子得多少常用浓度来衡量，而且载流子会从浓度高得部位向浓度低得部位扩散。正空穴会从浓度高得部位向浓度低得部位扩散,称为扩散电流。V9TF5Sj。xlN4icb。

发光二极管与激光二极管得区别。

答：发光二极管：ＬＥＤ主要由ＰＮ结芯片、电极、光学系统及附件等组成。ＬＥＤ得发光体叫晶片。发出得光辐射正向偏置时，通过电致发光得PN结器件。yvf1BHJ。RbShKQr。

激光二极管：以半导体材料为工作物质来产生激光得二极管，在发光二极管得基础上，在内部加了一个光学谐振腔。EC27Ifb。ixEIIDJ。

二极管得发光原理。

答：晶体二极管为一个由p型半导体与n型半导体形成得p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电常当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起得扩散电流与自建电场引起得漂移电流相等而处于电平衡状态。JCGzYiE。9gnZSpb。

(?)正向导电，反向不导电。

三．画图分析题

1、若异质结由n型（E?1，χ1，?1）与P型半导体（E?2，χ2，?2）结构，并有E?1E?2，χ1χ2，?1?2，试画出np?能带图。L5NZ6JW。qxVd6qh。

解：

四．计算题、

1、用弗伽定律计算Ga1?xAlxAs半导体当x=0、4时得晶格常数，并求出GaAs得晶格失