士兰微代理商SVTP035R5NL3深圳恒锐丰科技.pdf

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SVTP035R5NL3说明书

54A、30VN沟道增强型场效应管

描述

SVTP035R5NL3N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰

的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特点

54A,30V,RDS(on)(典型值)4.0m@VGS10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVTP035R5NL3TRPDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65P035无卤编带

杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.2

共8页第1页

SVTP035R5NL3说明书

极限参数(除非特殊说明,TA25C)

参数符号参数值单位

漏源电压VDS30V

栅源电压VGS±20V

T25°C54

C

漏极电流IDA

T100°C34

C

漏极脉冲电流IDM216A

耗散功率(T25C)33W

C

PD

-大于25C每摄氏度减少0.26W/C

单脉冲雪崩能量(注1)EAS200mJ

工作结温范围TJ-55~+150C

贮存温度范围Tstg-55~+150C

热阻特性

参数符号参数范围

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