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SVTP035R5NL3说明书
54A、30VN沟道增强型场效应管
描述
SVTP035R5NL3N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
54A,30V,RDS(on)(典型值)4.0m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVTP035R5NL3TRPDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65P035无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.2
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SVTP035R5NL3说明书
极限参数(除非特殊说明,TA25C)
参数符号参数值单位
漏源电压VDS30V
栅源电压VGS±20V
T25°C54
C
漏极电流IDA
T100°C34
C
漏极脉冲电流IDM216A
耗散功率(T25C)33W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少0.26W/C
单脉冲雪崩能量(注1)EAS200mJ
工作结温范围TJ-55~+150C
贮存温度范围Tstg-55~+150C
热阻特性
参数符号参数范围
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