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士兰微电子SGT70N65FDM1P7说明书
70A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止（FieldStop）
工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS1
G
以及PFC等领域。
特点3
E
70A，650V，V典型值=2.3V@I=70A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
123
TO-247-3L
命名规则
SGT70N65□□□P□
封装形式,如P7表示TO-247封装形式
IGBT系列
1,2,3…:版本号
电流规格,70表示70AD:封装快恢复二极管的器件
N:NChannelR:集成续流二极管的器件
NE:N沟平面栅带ESDL:低饱和压降器件
T:N沟槽栅S:标准器件
Q:快速器件
F:高速器件
电压规格:65表示650VUF:超高速器件
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SGT70N65FDM1P7TO-247-3L70N65FDM1无铅料管
极限参数(除非特殊说明，TC=25C)
参数符号参数范围单位
集电极-射极电压V
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