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士兰微电子SVSP7N65D(F)(MJ)(FJD)(S)D2说明书
7A，650V超结MOS功率管
描述2
SVSP7N65D(F)(MJ)(FJD)(S)D2N沟道增强型高压功率
1
2
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导13
TO-251J-3L
损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行
3
为。1.栅极2.漏极3.源极
1
此外，SVSP7N65D(F)(MJ)(FJD)(S)D2应用广泛。如，适用于硬/3
软开关拓扑。1TO-252-2L
3
TO-263-2L
特点
7A，650V，RDS(on)(典型值)=0.55@VGS=10V
创新高压技术1
12
233
低栅极电荷TO-220FJD-3LTO-220F-3L
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP7N65DD2TRTO-252-2LP7N65DD2无卤编带
SVSP7N65FD2TO-220F-3LP7N65FD2无卤料管
SVSP7N65MJD2TO-251J-3LP7N65MJD
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