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士兰微电子SGTP40V65FDR1P7说明书
40A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2封装引脚定义
SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场Pin1-栅极
Pin2背面-集电极
截止（FieldStop5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品1Pin3-发射极
G
可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。
特点3
E
40A，650V，V典型值=1.65V@I=40A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
TJmax=175C1
2
3
TO-247-3L
命名规则
SGTP40V65FDR1P7
士兰IGBT系列封装形式,如
工业级P7:TO-247-3L
电流规格,如:
40表示40A等1,2,3:版本号
N:N沟平面栅
NE:N沟平面栅带ESD空:标准二极管（Standard）
T:FieldStop3和4M:标准二极管、全电流规格（StandardFull）
U:FieldStop4+R:快速二极管（Rapid）
V:FieldStop5B:快速二极管、全电流规格（RapidFull）
W:FieldStop5+S:超软二极管、全电流规格（SoftFull）
Y:Fi
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