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士兰微电子SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4说明书
35A，650V超结MOS功率管
描述2Tab
SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4N沟道增强型高压功率
1pin1
MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗
和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。3Pin2-8
Pin1.栅极Tab.漏极
此外，SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4应用广泛。如，适用于1.栅极2.漏极3.源极pin2-8.源极
硬/软开关拓扑。
特点11
2
33
TO-263-2LTO-220FJD-3L
35A，650V，RDS(on)(typ.)=90m@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
11
较强的dv/dt能力2323
TO-220-3L
较高的峰值电流能力TO-247-3L
100%雪崩测试Tab
Tab8
无铅管脚镀层1
1
符合RoHS环保标准8
TOLL-8L
关键特性参数
参数
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