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SVT068R5NT/D/S/L5说明书
80A、60VN沟道增强型场效应管
描述
SVT068R5NT/D/S/L5N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用
先进的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有
较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。
特点
80A，60V，RDS(on)（典型值）7.0m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT068R5NTTO-220-3L068R5NT无铅料管
SVT068R5NDTRTO-252-2L068R5ND无卤编带
SVT068R5NSTRTO-263-2L068R5NS无卤编带
SVT068R5NL5TRPDFN-8-5×6×0.95-1.27068R5NL5无卤编带
极限参数（除非特殊说明，T25C）
J
参数值
参数名称符号单位
SVT068R5NT/SSVT068R5NDSVT068R5NL5
漏源电压VDS60V
栅源电压VGS±20V
T25°C80
C
漏极电流IDA
T100°C57
C
漏极脉冲电流IDM320A
耗散功率（T25C）158107100W
C
PD
-大于25C每摄氏度减少1.050.70.67
W/C
单脉冲雪崩能量（注1）EAS
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