嵌埋半导体芯片的结构及其制法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101256965A

(43)申请公布日2008.09.03

(21)申请号CN200710086114.2

(22)申请日2007.03.01

(71)申请人全懋精密科技股份有限公司

地址中国台湾新竹市

(72)发明人曾昭崇许诗滨

(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人程伟

(51)Int.CI

H01L21/50

H01L21/60

H01L23/12

H01L23/498

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

嵌埋半导体芯片的结构及其制法

(57)摘要

本发明公开了一种嵌埋半导体芯片

的结构及其制法，该制法主要是提供一具

相对的第一及第二表面的承载板，于该承

载板中形成多个贯穿开口，且于该承载板

的该第一表面形成围绕该些开口且未贯穿

该承载板的第一沟槽，并于该些开口中各

别容置半导体芯片，并将该承载板的该第

一表面及该半导体芯片压合于一第一介电

层上，以使该第一介电层填充于该第一沟

槽中及该半导体芯片与该承载板之间的间

隙中，且于该第二表面对应该第一沟槽位

置形成第二沟槽，且使该第二沟槽与该第

一沟槽相连通，藉以形成贯穿该承载板的

沟槽，从而可通过该贯穿沟槽进行后续的

切单作业，进而可有效利用承载板空间及

提升排版率，且可减少成型时间。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种嵌埋半导体芯片的结构的制法，包括：

提供一承载板，该承载板具有第一表面与相对的第二表面，于该承载板中形成多个

贯穿开口，且于该承载板的该第一表面形成围绕该些开口且未贯穿该承载板的第一

沟槽；

提供一第一介电层，将该承载板的该第一表面置于该第一介电层上；

提供一半导体芯片，其具有主动面与相对的非主动面，该主动面具有多个电极垫，

该半导体芯片容置于该承载板的开口中，且该非主动面置于该第一介电层上，然后

压合该承载板、该半导体芯片与该第一介电层以使该第一介电层填入该第一沟槽中

及该半导体芯片与该承载板之间的间隙中，通过该第一介电层将该半导体芯片固定

于该承载板的开口中；以及

于该承载板的该第二表面对应该第一沟槽位置形成第二沟槽，且使该第二沟槽与该

第一沟槽相连通，藉以形成贯穿该承载板的沟槽。

2.根据权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，复包括一金属层，其形成

于该第一介电层未与该承载板接触的表面上。

3.根据权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，复包括：

于该承载板的该第二表面及该半导体芯片的该主动面上形成一第二介电层，且该第

二介电层填入该第二沟槽中；以及

于该第二介电层中形成多个导电盲孔，且于该第二介电层上形成一线路层，该些导

电盲孔为电性连接该线路层与该半导体芯片的该些电极垫。

4.根据权利要求3所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，复包括于该第二介电层及

该线路层上形成一线路增层结构，该线路增层结构具有至少一介电层、至少一增层

线路层、多个连接垫及多个导电盲孔，部份该导电盲孔为电性连接至该第二介电层

上的该线路层，该线路增层结构亦包括一防焊层，其具有多个开孔，以显露出该线

路增层结构的该些连接垫。

5.根据权利要求3所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，于该第二介电层上形成该

线路层的同时，复包括在该第一介电层外侧表面上形成一金属层。

6.根据权利要求4所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，其中，在形成该增层线路

层的同时，复于该金属层继续堆叠金属层以形成一具多层金属结构的金属板。

7.根据权利要求6所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，复包括于该金属板对应该

沟槽位置形成开口。

8.根据权利要求7所述的嵌埋半导体芯片的结构的制法，复包括于该承载板的沟槽

进行切单作业以形成整合有嵌埋半导体芯片与线路层的封装结构，并于该封