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半导体器件物理性能分析考核试卷

考生姓名：__________答题日期：_______年__月__日得分：____________判卷人：

__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体材料中，下列哪种材料的禁带宽度最大？

A.硅B.锗C.砷化镓D.硒化锌

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2.下列哪种载流子主导了N型半导体的电导？

A.空穴B.电子C.离子D.原子

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3.在PN结正向偏置时，下列哪项描述是正确的？

A.P区的空穴向N区扩散

B.N区的电子向P区扩散

C.PN结的耗尽区变宽

D.以上都对

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4.对于一个理想的MOS电容，其电容值与下列哪个因素无关？

A.氧化层厚度B.栅极电压C.介电常数D.源漏电压

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5.下列哪种半导体器件在数字电路中常用作开关？

A.二极管B.三极管C.场效应晶体管D.隧道二极管

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6.在MOSFET中，下列哪个参数与沟道长度有关？

A.通道电流B.通道宽度C.沟道长度调制效应D.亚阈值摆幅

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7.关于JFET和MOSFET的描述，下列哪项是错误的？

A.JFET是N沟道或P沟道器件

B.MOSFET有一个绝缘层隔离的栅极

C.JFET的漏电流随温度升高而减少

D.MOSFET的阈值电压通常比JFET低

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8.在双极型晶体管中，当处于放大区时，集电极电流与基极电流的关系是？

A.集电极电流大于基极电流

B.集电极电流小于基极电流

C.集电极电流等于基极电流

D.无法确定

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9.下列哪种现象表示半导体材料具有负温度系数？

A.导电性随温度升高而降低

B.导电性随温度升高而增加

C.随温度升高，空穴浓度增加，电子浓度减少

D.随温度升高，载流子浓度不变

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10.以下哪种材料通常用于制造太阳能电池的PN结？

A.硅B.砷化镓C.硫化镉D.铝

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11.关于太阳能电池，下列哪项描述是正确的？

A.理想情况下，太阳能电池的效率只与材料禁带宽度有关

B.太阳能电池的光电流与光照强度成正比

C.太阳能电池的开路电压与温度成反比

D.太阳能电池在工作时不会产生热量

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12.对于LED，下列哪项描述是正确的？

A.发光效率与材料的禁带宽度无关

B.LED的发光颜色取决于材料的化学成分

C.LED正向偏置时，电子从N区向P区注入

D.LED在反向偏置时发光

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13.在一个NPN型晶体管中，当发射极和基极之间的电压增加时，以下哪个现象会发生？

A.基极电流增加

B.集电极电流减少

C.发射极电流减少

D.集电极电流与发射极电流的比例减少

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14.以下哪个因素会导致MOSFET的阈值电压降低？

A.减少氧化层的厚度

B.增加沟道掺杂浓度

C.增加栅极绝缘层的介电常数

D.所有上述因素

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15.在半导体器件中，下列哪种现象会导致载流子寿命缩短？

A.杂质原子散射B.声子散射C.光子散射D.电子-空穴对的复合

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16.关于PIN型二极管，以下哪项描述是正确的？

A.在正向偏置下，I区电阻大于P区和N区

B.在反向偏置下，I区的耗尽层宽度增加

C.它在正向偏置下的导电性能比PN结二极管差

D.PIN二极管没有开关特性

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17.在一个理想的PN结二极管，下列哪项描述是正确的？

A.在正向偏置下，耗尽层宽度增加

B.在反向偏置下，耗尽层宽度减少

C.在正向偏置下，热生载流子的影响增强

D.在反向偏置下，电流几乎不变，直至击穿电压

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18.下列哪种现象是导致半导体器件噪声的主要原因？

A.载流子随机漂移

B.载流子的热运动

C.电阻的热噪声

D.器件的老化

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19.对于一个工作在饱和区的晶体管，以下哪个描述是正确的？

A.集电极电流与基极电流成正比

B.集电极电流与基极电流无关

C.基极电流为零

D.集电极电流随温