半导体物理试卷及答案 .pdfVIP

《半导体物理》课程考试试卷（A）

开课二级学院:,考试时间:年____月____日时

考试形式：闭卷√、开卷□,允许带计算器入场

考生姓

名:

学号:

一二三四五六七八总分

专业:

班级:

题序

得分

评卷人

一、选择题（每小题2分,共10分）

1.室温下一硫化镉样品的可动载流子密度为,迁移率为,则此样品的电导率是。

A.16B.17C.18D.19

2.一块长的硅片,横截面是,用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为,测得电阻值为,则

其电子迁移率为。

A.1450B.550C.780D.1390

3.室温下,费米分布函数在处的值为

A.0B.0.5C.0.56D.1

4.对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数,结果均为,则该材料的导电类型为

A.N型B.P型C.本征D.不确定

5.一个零偏压下的PN结电容,每单位面积的耗尽层电容,硅的介电常数为,则耗尽层宽

度是

A.B.C.D.

二、判断题（每小题2分,共10分）

1.载流子的扩散运动产生漂移电流。（）

2.简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。（）

3.SiC是宽带隙的半导体材料。（）

4.弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。（）

5.对于窄禁带半导体材料,热电击穿是重要的击穿机制。（）

三、填空题（每空2分,共10分）

1.有效的陷阱中心能级在附近。

2.一定温度下,非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积=。

3.最初测出载流子有效质量的实验名称是。

4.金属半导体接触可分为两类,分别是和欧姆接触。

5.不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为半导体。

四、名词解释（每小题4分,共8分）

1.耿氏效应

2.准费米能级

五、简答题（每小题8分,共16分）

1、解释什么是深能级杂质和浅能级杂质？硅中掺入的硼属于哪一种杂质？硅中掺入的金属于

哪一种杂质,起什么作用？

2.简述费米分布函数和玻尔兹曼分布函数的区别。

六、计算：（共12分）假设在PN结的两侧有相同和均匀的掺杂,,计算单位面积的非补偿施

主离子的数量。

装

七、计算:（共18分）已知:室温下,一块P型硅样品的电阻率为,电子迁移率为,空

穴迁移率为,本征载流子浓度为。求:（1）电子和空穴的浓度；（2）用一束光照射样品,

可产生电子-空穴对,求电阻率的最大改变量。

订

线

八、作图题（共16分）

1.（共8分）某热平衡状态下的PN结如图所示,灰色部分表示耗尽层宽度。

（1）请画出该PN结在热平衡状态下的能带图,