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第——早
19-4
1一个硅p—n扩散结在p型一侧为线性缓变结，a=10cm,n型一侧为均匀掺
143*
杂，杂质浓度为3X10cm，在零偏压下p型一侧的耗尽层宽度为0.8卩m
求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。
d2
解:qax,(XX0)
p
d2qN°
,(0X)
dx^n
d
qa22
(X)(xX),Xx0
dxpp
2S
d
(X)X),°xX
dxnn
x=0处E连续得x=1.07卩m
x=X+X=1.87卩
总np
m
X
Vn
bi0E(x)dx0.516V
0
E(x)dx
5
Ex)4.8210V/m,负号表示方向为n型一侧指向p型一侧。
maxp
16
IFA*J=1.0*10-AO
s
+0.7V时，I=49.3卩A,
—0.7V时，I=1.0*10-16A
qDPqDn
Jpnonp°
SLL
pn
+163
3对于理想的硅p-n突变结，10cm,在1V正向偏压下，求n型中性区存贮的少数
—
载流子总量。设n型中性区的长度为1卩m空穴扩散长度为5卩m。
d2(PnPno)PnPn0
+
解：Pn,正向注入：
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