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摘要
半导体激光器是一种小型化、高效率的光电子器件，在提高发光功率、降低阈值
电流密度、提高器件工作稳定性、扩展发射波长范围等方面一直在不断完善，具有广
阔的发展前景。其中，以应变InGaAs/GaAs量子阱结构作为有源区的半导体激光器应
用最为广泛，并且此结构可实现更高的增益。但应变量子阱材料的生长还存在一些问
题亟待解决，如在In组分下，由原子偏析引起的团簇会导致材料内部出现局域态等。
本文针对上述问题，开展了高质量InGaAs/GaAs(P)量子阱的生长研究工作，具
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