半导体器件制造新技术研究与发展考核试卷 .pdfVIP

半导体器件制造新技术研究与发展考核试

卷

考生姓名：________________答题日期：________________得分：_________________判

卷人：_________________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件制造过程中，以下哪种技术常用于清洗硅片？（）

A.碱性清洗

B.酸性清洗

C.蒸汽清洗

D.水洗

2.下列哪种材料是典型的n型半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.硫化镉

3.在半导体器件中，MOSFET的全称是什么？（）

A.Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor

B.Metal-Oxide-SemiconductorField-EnhancementTransistor

C.Metal-Oxide-SemiconductorField-InducedTransistor

D.Metal-Oxide-SemiconductorField-IonizationTransistor

4.以下哪个过程不属于半导体器件的制造过程？（）

A.光刻

B.蚀刻

C.化学气相沉积

D.电镀

5.在半导体器件中，PN结的正向偏置电压是什么？（）

A.P端接正电压，N端接负电压

B.P端接负电压，N端接正电压

C.P端和N端都接正电压

D.P端和N端都接负电压

6.以下哪种技术是用于制造半导体器件中的微细图案？（）

A.光刻技术

B.蚀刻技术

C.化学气相沉积

D.离子注入

7.以下哪种材料是LED（发光二极管）中的主要发光材料？（）

A.硅

B.砷化镓

C.硫化锌

D.镓氮化物

8.在半导体器件中，肖特基二极管的特性是什么？（）

A.低正向电压降

B.高反向击穿电压

C.高开关速度

D.所有上述选项

9.以下哪种技术常用于减少半导体器件中的寄生电容？（)

A.离子注入

B.高温退火

C.表面钝化

D.氧化层生长

10.在半导体器件中，以下哪种结构用于隔离不同电路层？（）

A.PN结

B.缓冲层

C.硅氧化层

D.金属层

11.以下哪个参数是衡量MOSFET器件性能的重要指标？（）

A.电流放大系数

B.电流密度

C.亚阈值摆幅

D.饱和电压

12.以下哪种技术用于改善半导体器件的热导性？（）

A.杂质扩散

B.离子注入

C.金属化

D.SiC（碳化硅）材料的使用

13.以下哪个过程与半导体器件的钝化有关？（）

A.光刻

B.蚀刻

C.热氧化

D.化学气相沉积

14.在半导体器件制造中，以下哪种技术用于去除表面的微小缺陷？（）

A.磨抛

B.化学机械抛光

C.离子铣削

D.电化学抛光

15.以下哪种材料通常用于半导体器件中的导电连接？（）

A.铝

B.铅

C.镍

D.硅

16.在半导体器件中，双极型晶体管的HFE（电流放大系数）通常是多少？（）

A.10-100

B.100-1000

C.1000-10000

D.10000

17.以下哪个过程是半导体器件制造中的前道工艺？（）

A.光刻

B.封装

C.焊接

D.测试

18.以下哪个参数是评价太阳能电池效率的关键因素？（）

A.开路电压

B.短路电流

C.填充因子

D.所有上述选项

19.在半导体器件中，哪种存储器是基于电荷存储原理？（）

A.DRAM

B.SRAM

C.flash

D.EEPROM

20.以下哪个技术是用于提升半导体器件集成度的？（）

A.微细化

B.多层结构

C.3D封装

D.所有上述选项

（以下为试卷其他部分的格式，具体题目根据需求自行设计）

二、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分）

三、简答题（本题共5小题，每小题10分，共50分）

四、计算题（本题共2小题，每小题20分，共40分）

五、综合应用题（本题共1小题，共30分）

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符