碳化硅衬底，全球前12强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.docx

全球市场研究报告

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碳化硅衬底全球市场总体规模

衬底是指沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。

与硅材料相比，以碳化硅衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

碳化硅衬底产品图片

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

据QYResearch调研团队最新报告“全球碳化硅衬底市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球碳化硅衬底市场规模将达到44.4亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为21.6%。

碳化硅衬底，全球市场总体规模

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

全球碳化硅衬底市场前12强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

如上图表/数据，摘自QYResearch报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”，排名基于2023数据。目前最新数据，以本公司最新调研数据为准。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内碳化硅衬底生产商主要包括Wolfspeed、天科合达、Coherent、天岳先进、ROHMGroup(SiCrystal)、Onsemi、Resonac、烁科晶体、SKSiltron、河北同光等。2023年，全球前十强厂商占有大约94.0%的市场份额。

碳化硅衬底，全球市场规模，按产品类型细分，6Inch处于主导地位

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

就产品类型而言，目前6Inch是最主要的细分产品，占据大约75.9%的份额。

碳化硅衬底，全球市场规模，按应用细分，功率器件是最大的下游市场，占有77.8%份额。

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

就产品应用而言，目前功率器件是最主要的需求来源，占据大约77.8%的份额。

全球碳化硅衬底规模，主要生产地区份额（按收入）

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

全球主要市场碳化硅衬底规模

如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球碳化硅衬底市场研究报告2024-2030”.

主要驱动因素:

电动汽车市场的快速扩张是SiC衬底的重要驱动力，因为汽车制造商越来越多地采用基于SiC的组件来提高电源效率、续航里程和充电速度。随着主要制造商转向800V架构，SiC功率器件因其在高温和高压下比硅替代品具有更优异的性能而变得至关重要。SiC在电动汽车动力系统和充电系统中的效率优势使其成为支持汽车行业向电气化持续转变的关键。

全球对太阳能和风能等可再生能源的推动增加了对高效电力转换和储能系统的需求，而SiC衬底在这些方面表现出色。SiC的高能效、导热性和耐用性使其成为光伏逆变器、储能和智能电网的理想选择。随着各国投资可再生能源基础设施以实现环境目标，SiC衬底在最大限度地提高能源系统的效率和可靠性方面发挥着关键作用，推动了对电力电子的需求。

SiC衬底非常适合高频和高压应用，这些应用在电信、工业自动化和航空航天等领域的需求日益增长。SiC能够在高开关频率下运行并处理更大的功率密度，从而可以制造出更小、更轻、更高效的设备。这一趋势支持在无线基础设施、高性能工业系统和军事应用中采用SiC，随着各行各业寻求提高性能和降低能耗，进一步推动市场增长。

主要阻碍因素:

生产SiC单晶基板所需的先进而复杂的技术构成了巨大的进入壁垒，限制了市场参与者的数量。这种复杂性确保只有拥有大量专业知识和资源的公司才能在SiC生产中取得成功，从而限制了竞争和市场多样性。

随着材料科学的不断进步，氮化镓(GaN)等替代方案正在成为SiC在多个应用领域的潜在竞争对手。GaN的效率和成本优势可能会挑战SiC在某些电力电子和高频设备中的主导地位，从而在市场中形成竞争态势。

SiC单晶基板主要用于电力电子和光电子等高性能应用，从而形成高度集中和专业化的客户群。这种狭窄的市场