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半导体物理与器件考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，主要因为其（）

A.电阻率大

B.电阻率小

C.禁带宽度较小

D.禁带宽度较大

2.下列哪种材料不是典型的半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.铜导线

D.砷化镓

3.半导体材料的本征吸收发生在（）

A.紫外光区

B.可见光区

C.红外光区

D.微波区

4.在半导体物理中，N型半导体中的“N”代表（）

A.Negative（负的）

B.Neutral（中性的）

C.Nitrogen（氮的）

D.Excesselectrons（过剩电子）

5.P-N结在反向偏置时，其内部的电场强度（）

A.减小

B.增大

C.消失

D.不变

6.以下哪个不是太阳能电池的工作原理？（）

A.光电效应

B.热电效应

C.光生伏特效应

D.量子效应

7.在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，MOS电容的C-V特性曲线中，积累

区对应于（）

A.平带状态

B.耗尽层扩大

C.电子注入

D.空穴注入

8.对于一个理想的PNP型晶体管，其发射极区是（）

A.N型半导体

B.P型半导体

C.高掺杂N型半导体

D.低掺杂P型半导体

9.下列哪种现象不是由于载流子浓度变化引起的？（）

A.光照效应

B.温度效应

C.电场效应

D.磁场效应

10.在集成电路中，CMOS技术的主要优势是（）

A.低功耗

B.高速度

C.大规模集成

D.所有上述选项

11.半导体器件的亚阈值摆幅定义为（）

A.器件从关闭状态到开启状态所需的最小栅压变化

B.器件从开启状态到关闭状态所需的最小栅压变化

C.栅压变化时电流变化的百分比

D.栅压变化时阈值电压的变化

12.下列哪种材料通常用于制作MOSFET的栅极绝缘层？（）

A.硅

B.硅氧化物

C.硅化物

D.镍

13.在BJT（双极型晶体管）中，β（电流放大系数）与（）成反比。

A.基区宽度

B.发射区宽度

C.集电区宽度

D.基区掺杂浓度

14.在半导体物理中，载流子的漂移运动主要由（）引起。

A.外电场

B.温度

C.光照

D.载流子之间的碰撞

15.下列哪种现象说明半导体具有负电阻特性？（）

A.热敏电阻

B.光敏电阻

C.霍尔效应

D.稳压二极管

16.下列哪种材料最适合用于制作光电器件？（）

A.硅

B.砷化镓

C.铜导线

D.铝

17.在半导体器件中，雪崩击穿通常发生在（）

A.反向偏置

B.正向偏置

C.电压为零

D.电流为零

18.下列哪个不是制造半导体器件的主要工艺？（）

A.光刻

B.蚀刻

C.离子注入

D.镀膜

19.下列哪种现象是半导体器件中的噪声源？（）

A.热噪声

B.散粒噪声

C.闪烁噪声

D.所有上述选项

20.在半导体物理中，能带结构对器件性能的影响主要表现在（）

A.载流子迁移率

B.载流子浓度

C.电导率

D.所有上述选项

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.半导体的导电性能受以下哪些因素影响？（）

A.温度

B.杂质浓度

C.光照

D.以上都是

2.下列哪些是太阳能电池的主要类型？（）

A.单晶硅太阳能电池

B.多晶硅太阳能电池

C.非晶硅太阳能电池

D.所有上述类型

3.在PN结中，以下哪些情况会导致势垒降低？（）

A.正向偏置

B.反向偏置

C.光照

D.温度升高

4.以下哪些是场效应晶体管（FET）的基本类型？（）

A.JFET

B.MOSFET

C.MESFET

D.BJT

5.下列哪些因素影响晶体管的放大系数β？（）

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.温度

6.半导体的能带结构包括以下哪些部