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硅单晶腐蚀片

1范围

本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮

存、质量证明书和订货单（或合同）内容。

本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐

蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整

流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T12962硅单晶

GB/T12965硅单晶切割片和研磨片

GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T20503铝及铝合金阳极氧化阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定20°、45°、60°、

85°角度方向

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T30453硅材料原生缺陷图谱

YS/T26硅片边缘轮廓检验方法

YS/T28硅片包装

3术语和定义

GB/T14264和GB/T30453界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

表面光泽度surfaceglossiness

在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与标准陶瓷板样品在该

镜面反射方向的反射光通量之比。光泽度值通常以数值表示，单位是Gs（光泽单位）。

3.2

表面反射率surfacereflectivity

在规定的光源和接收器张角的条件下，样品在镜面反射方向的反射光光通量与入射光光通量之比，

其数值通常以百分数表示。

3.3

表面腐蚀晶胞surfaceetchedunitcell

硅单晶片的不同晶面腐蚀速率不同，腐蚀过程中晶胞的三维形貌发生变化后在硅单晶片表面形成的

图形。通过显微镜能够观察硅单晶片表面腐蚀晶胞的形貌并测量腐蚀晶胞的长、宽等参数。

注：表面腐蚀晶胞的形貌强烈依赖于硅单晶片的晶向和掺杂剂浓度、化学腐蚀液性质、腐蚀工艺条件等。酸腐蚀和

碱腐蚀的硅单晶片表面腐蚀晶胞具有完全不同的形貌，详见附录A。

4牌号及分类

4.1牌号

腐蚀片的牌号表示方法参照GB/T14844的规定。

4.2分类

4.2.1腐蚀片按腐蚀液的种类分为酸腐蚀片、碱腐蚀片两种。

4.2.2腐蚀片按导电类型分为N型、P型两种。

4.2.3腐蚀片按硅单晶的生长方法分为直拉（CZ）法和悬浮区熔（FZ）法两大类。

4.2.4腐蚀片按直径一般分为Φ50.8mm、Φ76.2mm、Φ100mm、Φ125mm、Φ150mm和Φ200mm六种。非标

准直径由供需双方协商。

5要求

5.1材料

腐蚀片生产用硅单晶的导电类型、掺杂剂、电阻率及其径向变化、氧含量、碳含量、少数载流子寿

命及晶体完整性应符合GB/T12962的规定。

5.2电学性能

腐蚀片的导电类型、电阻率及其径向变化应符合GB/T12962的规定。

5.3几何参数

腐蚀片的几何参数应符合表1的规定。表1中未列出的几何参数，可由供需双方协商。

表1几何参数

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