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半导体器件的历史与发展趋势考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.世界上第一个半导体器件是（）

A.点接触晶体管

B.面接触晶体管

C.硅控整流电路

D.集成电路

2.下列哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.铜氧化物

D.砷化镓

3.半导体器件工作的基本原理是基于（）

A.电阻效应

B.电容效应

C.PN结效应

D.电感效应

4.第一代半导体材料主要是指（）

A.硅

B.砷化镓

C.碳化硅

D.氮化镓

5.以下哪种器件不属于分立半导体器件？（）

A.二极管

B.三极管

C.集成电路

D.场效应晶体管

6.关于半导体器件的发展，以下哪个时间点是错误的？（）

A.1947年发明晶体管

B.1958年发明集成电路

C.1960年发明MOSFET

D.1970年发明智能手机

7.半导体器件制造过程中，以下哪道工艺不是基本工艺？（）

A.光刻

B.蚀刻

C.电镀

D.铸造

8.在集成电路制造过程中，以下哪种技术不属于光刻技术？（）

A.接触式光刻

B.投影式光刻

C.电子束光刻

D.紫外线曝光

9.下列哪个单位不是衡量半导体器件特征尺寸的单位？（）

A.微米（μm）

B.纳米（nm）

C.皮米（pm）

D.厘米（cm）

10.以下哪种材料被称为第三代半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.碳化硅

D.氮化镓

11.半导体器件的发展趋势中，以下哪一项是错误的？（）

A.尺寸越来越小

B.集成度越来越高

C.速度越来越慢

D.功耗越来越低

12.下列哪个因素不会影响半导体器件的性能？（）

A.温度

B.电压

C.频率

D.湿度

13.以下哪个不是新型半导体器件？（）

A.石墨烯场效应晶体管

B.纳米线晶体管

C.量子点晶体管

D.传统晶体管

14.关于半导体器件的封装技术，以下哪个说法是错误的？（）

A.封装技术可以提高器件的可靠性

B.封装技术会影响器件的电学性能

C.封装技术可以保护器件免受外界环境的影响

D.封装技术会降低器件的集成度

15.以下哪个技术不属于半导体器件制造过程中的清洁技术？（）

A.RCA清洗

B.氢氟酸清洗

C.磷酸清洗

D.光刻胶去除

16.半导体器件的可靠性测试中，以下哪个项目不是常见的测试项目？（）

A.高温测试

B.低温测试

C.高压测试

D.信号完整性测试

17.以下哪个领域不是半导体器件的主要应用领域？（）

A.通信

B.计算机

C.生物医学

D.冶金

18.关于半导体器件的能带结构，以下哪个说法是错误的？（）

A.导带和价带之间的空隙称为禁带

B.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间

C.在室温下，半导体的价带是空的

D.在室温下，半导体的导带是部分填充的

19.以下哪个不是半导体器件的物理制备方法？（）

A.蒸镀

B.溅射

C.化学气相沉积

D.铸造

20.以下哪个因素不会影响半导体器件的热稳定性？（）

A.器件材料

B.器件结构

C.器件尺寸

D.环境温度

（以下为答题纸）

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件的常见类型包括以下哪些？（）

A.二极管

B.三极管

C.集成电路

D.电阻器

2.以下哪些材料常用于半导体器件的制造？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.铜

3.半导体器件的制造过程中，以下哪些工艺步骤是必须的？（）

A.光刻

B.蚀刻

C.焊接

D.掺杂

4.以下哪些技术属于光刻技术？（）

A.接触式光刻

B.投影式光刻

C.电子束光刻

D.喷墨打印

5.以下哪些因素会影响半导体器件的性能？（）

A.温度

B.电压

C.频率

D.光照

6.新型半导体器件的特点包括以下哪些？（）

A.尺寸更小

B.集成度更高

C.速度更快

D.功耗更低

7.以下哪些技术被用于提