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半导体器件的光刻胶技术考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.光刻胶技术在半导体器件制造中主要用于：（）

A.保护作用

B.遮挡作用

C.选择性刻蚀作用

D.传输作用

2.以下哪种光刻胶属于正性光刻胶？（）

A.PMMA

B.PSG

C.PI

D.SU-8

3.光刻胶的灵敏度是指：（）

A.光刻胶对紫外线的反应速度

B.光刻胶对光源的吸收能力

C.光刻胶在显影液中的溶解度

D.光刻胶成像的分辨率

4.下列哪个波长的光源不常用于光刻工艺？（）

A.365nm

B.405nm

C.436nm

D.546nm

5.光刻胶的对比度是指：（）

A.光刻胶在曝光和未曝光区域的区别

B.光刻胶的灵敏度

C.光刻胶的粘度

D.光刻胶的溶解度

6.以下哪种显影液适用于正性光刻胶？（）

A.酒精

B.丙酮

C.氨水

D.水

7.以下哪个因素会影响光刻胶的分辨率？（）

A.光刻胶的曝光时间

B.光刻胶的厚度

C.光源波长

D.显影时间

8.以下哪种光刻胶适用于深紫外光刻工艺？（）

A.PMMA

B.PSG

C.PI

D.光敏硅烷

9.光刻胶的粘度是指：（）

A.光刻胶的流动阻力

B.光刻胶的灵敏度

C.光刻胶在显影液中的溶解度

D.光刻胶的对比度

10.以下哪种方法可以提高光刻胶的分辨率？（）

A.增加光源功率

B.减少光刻胶厚度

C.增加曝光时间

D.降低光源波长

11.以下哪种光刻胶具有较好的抗蚀性？（）

A.PMMA

B.PSG

C.PI

D.光敏硅烷

12.光刻胶的涂覆方法不包括以下哪种？（）

A.溶液涂覆

B.泡沫涂覆

C.喷涂涂覆

D.电泳涂覆

13.以下哪种因素会影响光刻胶的涂覆质量？（）

A.涂覆速度

B.光刻胶的粘度

C.环境湿度

D.所有上述因素

14.光刻胶的烘烤工艺主要用于以下哪个目的？（）

A.去除光刻胶中的溶剂

B.改变光刻胶的对比度

C.提高光刻胶的粘度

D.降低光刻胶的灵敏度

15.以下哪种光刻胶适用于电子束光刻工艺？（）

A.PMMA

B.PSG

C.PI

D.高分子量PMMA

16.以下哪个步骤不属于光刻工艺的基本流程？（）

A.光刻胶涂覆

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

17.光刻胶的烘烤温度一般设定在：（）

A.90-100℃

B.100-120℃

C.120-150℃

D.150-180℃

18.以下哪种光刻胶可以用于灰度光刻工艺？（）

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.灰度光刻胶

D.所有光刻胶

19.以下哪个因素会影响光刻胶的烘烤质量？（）

A.烘烤时间

B.烘烤温度

C.光刻胶的厚度

D.所有上述因素

20.以下哪个设备用于光刻胶的涂覆工艺？（）

A.光刻机

B.显影机

C.烘烤炉

D.涂覆机

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.光刻胶在半导体制造中的主要作用包括：（）

A.保护作用

B.遮挡作用

C.选择性刻蚀作用

D.传输作用

2.正性光刻胶的特点有：（）

A.曝光后溶解度降低

B.曝光后溶解度增加

C.与显影液接触后不溶解

D.与显影液接触后溶解

3.以下哪些因素影响光刻胶的曝光效果？（）

A.光源波长

B.曝光时间

C.光刻胶的灵敏度

D.环境湿度

4.光刻工艺中常用的光源波长包括：（）

A.365nm

B.405nm

C.436nm

D.248nm

5.光刻胶的烘烤过程会影响以下哪些性能？（）

A.粘度

B.对比