半导体物理与器件智慧树知到答案2024年上海电子信息职业技术学院.pdf

半导体物理与器件上海电子信息职业技术学院智慧树知到答案2024年

第一章测试

1.半导体材料的导电性能介于金属材料和绝缘材料之间。（）

A:对B:错

答案:A

2.电中性原子失去电子后带正电。（）

A:错B:对

答案:B

3.半导体硫化银的电阻具有负的温度系数是因为？（）

A:当硫化银受热时产生了更多的电子参与定向运动B:当硫化银受热时产生了

更少的电子参与定向运动

答案:A

4.常温下，半导体材料的电阻率在什么范围？（）

A:＞10Ω·cmB:10Ω·cm~10Ω·cmC:＞10Ω·cmD:＜10Ω·cm

10-399-3

答案:B

5.是谁首先提出：将电、磁、光统归为电磁场现象的麦克斯韦方程组？（）

A:奥斯特B:安培C:麦克斯韦D:赫兹

答案:C

第二章测试

1.中子是带正电的。（）

A:错B:对

答案:A

2.中子是带负电的。（）

A:错B:对

答案:A

3.核外的电子是分布在能量的轨道上的（）

A:连续B:不连续

答案:B

4.核外电子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ确定，h是，υ

表示。（）

A:普朗克常量，波的频率B:波的频率，普朗克常量

答案:A

5.一个主量子数是不能精确确定电子的轨道的，每个轨道里面还可以再细分，

即还有分壳层，它用表示的。（）

A:字母，例如s，p，d，…B:数字，例如1，2，3，…

答案:A

第三章测试

1.N型半导体主要靠自由电子运动导电，也称为电子半导体。（）

A:对B:错

答案:A

2.P型半导体主要靠空穴运动导电，也称为空穴半导体。（）

A:对B:错

答案:A

3.PN结中载流子的运动是这样的：P型半导体中的多子空穴向N区扩散，留

下不可移动的负离子；N型半导体的多子电子向P区扩散，留下不可移动

的正离子。（）

A:错B:对

答案:B

4.在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，可以构成。

（）

A:P型半导体B:N型半导体

答案:B

5.在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，可以构成。

（）

A:P型半导体B:N型半导体

答案:A

第四章测试

1.将两个背靠背的PN结连接在一起的三明治结构，可以形成双极结型晶体管，

它有两种不同的结构，一种是NPN结构，另一种是PNP结构。（）

A:对B:错

答案:A

2.将两个PN结以非背靠背方式连接在一起的四层结构，可以形成晶闸管。

（）

A:错B:对

答案:B

3.晶体管发射极(emitter)e用于收集载流子。（）

A:对B:错

答案:B

4.晶体管的电流放大倍数等于集电极电流变化量ΔI与基极电流变化量ΔI的

CB

比值。（）

A:错B:对

答案:B

5.将晶体管三个区的掺杂浓度按从高到低顺序排序，正确的顺序是：。（）

A:发射区＞集电区＞基区B:发射区＞集电区＞基区C:发射区＞基区＞集电

区D:集电区＞发射区＞基区

答案:B

第五章测试

1.三极管是由电流来控制实现功能的。（）

A:对B:错

答案:A

2.MOSFET管是由电流来控制实现功能的。（）

A: