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GaAs半导体器件制造考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.下列哪种材料通常与GaAs搭配制作半导体器件？()

A.硅(Si)

B.砷化镓(GaAs)

C.硅锗(SiGe)

D.镓氮化物(GaN)

2.GaAs半导体器件相比于硅器件，以下哪个特性更为优越？()

A.电子迁移率

B.电流放大系数

C.开关速度

D.所有以上选项

3.制作GaAs半导体器件时，以下哪个步骤属于外延生长？()

A.光刻

B.蚀刻

C.化学气相沉积

D.清洗

4.GaAs半导体器件的导电类型由以下哪个因素决定？()

A.杂质浓度

B.掺杂类型

C.掺杂浓度

D.所有以上选项

5.下列哪种掺杂剂通常用于n型GaAs？()

A.硒(Se)

B.硅(Si)

C.锑(Sb)

D.硼(B)

6.GaAs器件的欧姆接触通常采用以下哪种金属？()

A.铝(Al)

B.镍(Ni)

C.铅(Pb)

D.金(Au)

7.在GaAs器件制造中，以下哪项操作通常在离子注入后进行？()

A.光刻

B.热处理

C.清洗

D.蚀刻

8.下列哪种GaAs器件的制造方法可以最小化缺陷？()

A.分子束外延

B.液相外延

C.金属有机化学气相沉积

D.离子注入

9.下列哪项不是GaAs半导体器件的优点？()

A.高电子迁移率

B.高热导率

C.低制造成本

D.较宽的能带

10.GaAs半导体器件中，以下哪种结构用于增加电场？()

A.缓变沟道

B.阶梯沟道

C.平坦沟道

D.窄沟道

11.在GaAs半导体器件中，以下哪个参数与热载流子效应有关？()

A.临界电场

B.电子迁移率

C.载流子寿命

D.掺杂浓度

12.下列哪种GaAs器件主要用于高频应用？()

A.MESFET

B.HEMT

C.MOSFET

D.JFET

13.GaAs器件的制造过程中，以下哪个步骤用于去除表面杂质？()

A.离子注入

B.清洗

C.热处理

D.光刻

14.下列哪种掺杂剂通常用于p型GaAs？()

A.硅(Si)

B.锑(Sb)

C.铅(Pb)

D.硒(Se)

15.在GaAsHEMT结构中，以下哪部分用于形成二维电子气？()

A.缓变沟道

B.超晶格结构

C.源漏区

D.栅极

16.下列哪种技术常用于GaAs器件的表面钝化？()

A.离子注入

B.化学气相沉积

C.光刻

D.电子束蒸发

17.GaAs半导体器件在以下哪个温度范围内性能最佳？()

A.-55°C至125°C

B.0°至C100°C

C.25°C至150°C

D.50°C至200°C

18.以下哪种材料常用于GaAs器件的绝缘层？()

A.二氧化硅(SiO2)

B.硅锗(SiGe)

C.硅(Si)

D.砷化镓(GaAs)

19.下列哪种测试方法用于评估GaAs器件的漏电流？()

A.四点探针测试

B.电容-电压测量

C.霍尔效应测量

D.传输线法

20.以下哪个因素会影响GaAs器件的频率响应？()

A.器件尺寸

B.掺杂浓度

C.介电常数

D.所有以上选项

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.GaAs半导体器件的特点包括以下哪些？()

A.高电子迁移率

B.高热导率

C.低制造成本

D.高临界电场

2.以下哪些因素会影响GaAs器件的载流子寿命？()

A.掺杂浓度

B.温度

C.光照条件

D.所有以上选项

3.GaAs半导体器件的制造过程中，以下哪些步骤属于前端工艺？()

A.光刻

B.离子注入

C.化学气相沉积

D.焊接

4.以下哪些材料可以用作GaAs器件的源漏接触？()

A.镍(Ni)

B.铝(Al)

C.金(Au)

D.铅(Pb)

5.