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集成电路设计的新方案与新模式考核试卷

考生姓名：答题日期：得分：判卷人：

本次考核旨在评估考生对集成电路设计新方案和新模式的掌握程度，包括对现有技术的理解、对新技术的敏感性以及对创新设计方法的运用能力。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.集成电路设计中，MOSFET晶体管的漏极和源极可以互换使用，这种特性称为：（）

A.互补特性

B.可逆性

C.可互换性

D.可控性

2.下面哪种晶体管在集成电路设计中应用最为广泛？（）

A.双极型晶体管

B.场效应晶体管

C.MOS晶体管

D.光晶体管

3.下列哪种技术可以实现集成电路的高集成度？（）

A.双极型集成电路技术

B.混合集成电路技术

C.CMOS技术

D.TTL技术

4.在CMOS工艺中，NMOS晶体管和PMOS晶体管的阈值电压通常（）

A.不同

B.相同

C.PMOS大于NMOS

D.NMOS大于PMOS

5.集成电路设计中，以下哪种现象会导致功耗增加？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

6.下列哪种技术可以实现低功耗设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

7.集成电路设计中，以下哪种技术可以实现高速度？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

8.下列哪种技术可以实现高密度集成？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

9.在集成电路设计中，电源噪声对电路性能的影响主要表现为：（）

A.速度降低

B.功耗增加

C.增加功耗和速度降低

D.无影响

10.下列哪种技术可以实现高可靠性设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

11.集成电路设计中，电源抑制比（PSRR）是指：（）

A.电源电压变化对输出电压的影响程度

B.输入信号变化对输出信号的影响程度

C.输出信号变化对输入信号的影响程度

D.输入信号变化对电源电压的影响程度

12.在CMOS工艺中，以下哪种因素会导致亚阈值漏电？（）

A.晶体管尺寸

B.晶体管阈值电压

C.晶体管沟道长度

D.以上都是

13.下列哪种技术可以实现低漏电设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

14.集成电路设计中，电源电压波动对电路性能的影响主要表现为：（）

A.速度降低

B.功耗增加

C.增加功耗和速度降低

D.无影响

15.在集成电路设计中，以下哪种技术可以实现高稳定性？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

16.下列哪种技术可以实现低噪声设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

17.集成电路设计中，以下哪种因素会导致电源电流增加？（）

A.晶体管尺寸

B.晶体管阈值电压

C.晶体管沟道长度

D.以上都是

18.下列哪种技术可以实现低功耗设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

19.集成电路设计中，以下哪种技术可以实现高速度？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

20.在集成电路设计中，以下哪种因素会导致功耗增加？（）

A.晶体管尺寸

B.晶体管阈值电压

C.晶体管沟道长度

D.以上都是

21.下列哪种技术可以实现低漏电设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

22.集成电路设计中，以下哪种因素会导致电源电流增加？（）

A.晶体管尺寸

B.晶体管阈值电压

C.晶体管沟道长度

D.以上都是

23.下列哪种技术可以实现低功耗设计？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

24.在集成电路设计中，以下哪种技术可以实现高速度？（）

A.增加晶体管尺寸

B.降低晶体管尺寸

C.提高时钟频率

D.降低时钟频率

25.集成电路设计中，以下哪种因素会导致功耗增加？（）

A.晶体管尺寸

B.晶体管阈值电压

C.晶体管沟道长度

D.以上都是

26.下列哪种技术