光电子技术的进展及应用 .pdf

  1. 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

光电子技术的进展与应用

摘要

全世界光电子技术产业的市场规模己达1万亿美元。国外光电子产业要紧在美国、西欧和日

本。近十年来,中国的光电子技术产品市场的年增长率,始终维持在两位数的高速增长势头。

随着信息光电子技术、激光加工技术、激光医疗与光子生物学、激光全息、光电传感、显示

技术等光电技术的快速发展和光电科技与数字技术、多媒体技术、机电技术等领域的结合与

渗透,我国已经形成以下市场可观、发展潜力庞大的光电子产业。

引言

光电子技术产业是由光子技术和电子技术结合而成的新技术,是我国的先导产

业,对我国国防工业、太阳能能源产业、汽车产业和信息技术等产业进展具有重

要战略阻碍。

光电技术的进展态势

目前,人们都偏向以为光电子技术的进展历史应从1960年激光器的诞生算起。

尽管其历史可追溯到19世纪70年代,但那时期到1960年,光学和电子学仍然

是两门独立的学科,因此只能算作光电子学与光电子技术的孕育期。

最先显现的光电子器件是光电探测器,而光电探测器的基础是光电效应

的发觉和研究。1888年,德国.赫兹观看到紫外线照射到金属上时,能使金属发

射带电粒子,那时无法说明。1890年,P.勒纳通过对带电粒子的电荷质量比的

测定,证明它们是电子,由此弄清了光电效应的实质。1900年,德国物理学家

普朗克在黑体辐射研究中引入能量量子,提出了闻名的描述黑体辐射现象的普朗

克公式,为量子论坚决了基础。1929年,.科勒制成银氧铯光电阴极,显现了光

电管。1939年,前苏联.兹沃雷金制成有效的光电倍增管。20世纪30年代末,

硫化铅(PbS)红外探测器问世,它可探测到3µm辐射。40年代显现用半导体材

料制成的温差电型红外探测器和测辐射热计。50年代中期,可见光波段的硫化

镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、光敏电阻和短波红外硫化铅光电探测器投入利用。

50年代末,美国军队将探测器用于代号为“响尾蛇”的空空导弹,取得明显作

战成效。1958年,英国劳森等发明碲镉汞(HgCdTe)红外探测器。在军事需求

牵引和半导体工艺等技术进展的推动下,红外探测器自60年代以来迅速进展

1.世界光电子技术和产业的进展

光纤通信技术的进展速度远远超过当初人们的预料,光纤已经成为通信网的重

要传输媒介,此刻世界上大约有60%的通信业务经光纤传输,到20世纪末将达到

85%,但从目前光纤通信的整体水平来看,仍处于低级时期,光纤通信的庞大潜力

尚未完全开发出来。目前,各类新技术层出不穷,密集波分复用技术(DWDM,在

同一根光纤内传输多路不同波长的光信号,以提高单根光纤的传输能力)、掺铒光

纤放大器技术(EDFA,可将光信号直接放大,具有输出功率高、噪声小,增益

带宽等优势)已取得冲破性进展并取得普遍的应用。

此刻DWDM系统和光传输设备中,光电技术的比例将从过去比重不到10%达

到90%。一种全新的、无需进行任何光电变换的光波通信--“全光通信”,由于

波分复用技术和掺铒光纤放大器技术的进展,也日趋成熟,将在横跨太平洋和大

西洋的通信系统上第一次利用,给全世界的通信业带来蓬勃生机。为此提供支撑

的确实是半导体光电子器件和部件。光电子器件和技术已形成一个快速增

加的、庞大的光电子产业,对国民经济的进展起着愈来愈大的作用。

波分复用技术的普遍运用为光电子器件和部件提供了广漠的、快增加的市

场。无穷战略公司的报告指出:“信号传输用μm和μm激光器市场1999年

达到13亿美元,比去年增23%;μm信号放大用激光器1999年市场份额达到

亿美元,比去年增33%;980nm信号放大用激光器销售额达亿美元,比去年增

121%。

2我国的光电子技术和产业的进展

我国的光学与光电子材料研究已进入应用和产业化的发展阶段。其中:

在半导体光电子材料方面:在我国,用于集成电路(IC)和太阳能电池单晶硅(Si)年产量

约为400吨。用于光电子器件的GaAs单晶、用于LED和LD的InP单晶和用于红、绿色LED的GaP

芯片材料已实用化。用于蓝光LD和蓝、绿光LED和GaN、SiC等宽禁带半导体材料正在研发中。

在激光晶体材料方面:华北光电技术研究所研制的Nd:YAG晶坯性能指标达到国际先进水平。

华博技术的YAG激光棒年批量生产能力为3000根。中国已成为矾酸钇(YVO4)晶

文档评论(0)

***** + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档