第2章-数字逻辑基础(3).ppt

Homework 习题2-10，2-11，2-12复习基本半导体开关元件二极管构成的与、或逻辑三极管构成的非、或非、与非逻辑特性TTL与非门电路及工作原理、逻辑特性TTL门电压传输特性TTL门的静态输入/输出特性，动态特性OC门，三态门的逻辑特性NMOS、PMOS电路逻辑特性CMOS电路逻辑特性习题讲解*2.5MOS门电路MOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗低、体积小、成品率高等优点。特别适用于中、大规模集成电路的制造，是目前集成电路中的主打产品。2.5.1NMOS门电路1.NMOS反相器1)T2管为负载管,始终导通,导通阻抗为T1管导通阻抗的10~100倍。2)T1管为驱动管,A为1时导通,输出低电平,A为0时截止,输出高电平。VDDT2T1F=AA2.其它逻辑功能的NMOS门电路NMOS非门的等效电路为:AFVDDR1)与非门AFVDDRBVDDT3T1F=ABAT2B特点:驱动管串联2)或非门VDDT3T1F=ABAT2BAFVDDRB特点:驱动管并联。2)与或非门AFVDDRCBD*在NMOS门电路中,驱动管串联的个数不能太多,否则将影响输出逻辑的低电平值。2.5.2CMOS门电路(ComplementarySymmetryMOS)1.CMOS反相器和NMOS反相器一样,CMOS反相器是CMOS逻辑电路中最基本的单元电路。图中驱动管T1为NMOS管,负载管T2为PMOS管,为保证电路正常工作,电源电压VDD大于两管的开启电压的绝对值之和。VDDT2T1F=AASSGGDD当A=0时,T1管截止，T2管导通，F=1;当A=1(VDD)时,T1管导通,T2管截止,F=0。工作原理:2.其它逻辑功能的CMOS门电路VDDT2T1F=AASSGGDD1)CMOS与非门VDDT3T2F=ABAT4T1B2)CMOS或非门VDDT4T3F=A+BAT2T1B3)CMOS三态非门VDDT2T1FAT’1T’2EN1CMOS三态门可方便地用于构成总线结构。EN=0F=A;EN=1F对外呈高阻。4)CMOS传输门(TG门)TGCCViVoVDDViVoCCT1T2(1)C=0V,C=5V时，传输门截止.(T1和T2均截止）(2)C=5V,C=0V时，传输门导通.(T1和T2总有一只导通）工作原理：设两管开启电压的绝对值为2V,VDD=5V.输入信号在0~5V内连续变化。关于CMOS传输门：(1)由于MOS为对称的,源极和漏极可以互换,输入和输出端也可互换,即CMOS传输门为双向的。(2)传输门和非门结合,可组成模拟开关。ViVoCSWTGViVoC1特点:1)功耗低2)工作电源电压范围宽3)抗干扰能力强4)带负载能力强5)输出幅度大使用注意事项:1)多余的输入端不能悬空2)注意输入电路的过流保护3)电源电压极性不能反接,防止输出短路。3.CMOS集成电路的主要特点和注意事项2.6TTL与CMOS电路的接口1.由TTL到CMOS的接口电路驱动门为TTL电路,负载门为CMOS电路,主要考虑的是电平匹配,连接方法有多种：①若CMOS门的电源为5V（和TTL门相同）11TTLCMOS5VR②若CMOS门的电源不为5V（和TTL门不同）,则TTL电路可采用OC门。11TTLCMOS5VRVDD③采用专用集成电路。2.由CMOS到TTL的接口电路由CMOS到TTL的接口电路,除考虑电压匹配外,还得考虑驱动电流(CMOS电路允许的最大灌电流为0.4mA,而TTL门的输入短路电流大于1mA),常用方法有:①采用CMOS缓冲转换器11TTLCMOSVDD(3~18V)1VCC(5V)缓冲/转换器②将同一封装内的CMOS电路并接使用,以增大输出灌电流。③采用射极跟随器,增大输出灌电流。2.11试分别画出实现下列逻辑功能的CMOS电路图（1）VDDABCF=A+B+C（2）VDDF=A·B·CACB(3)VDDF=A+B·CACBVDDAB1ENF（4）2.