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摘要
近年来，因量子点发光场效应晶体管（QuantumDotLight-emittingField-Effect
Transistor,QLET）可集成场效应晶体管（FET）对载流子优异的电场调控及胶体量子
点发光二极管（QLED）高器件效率、窄发射波长、宽光谱覆盖范围等特征于一体的优
势，受到了广泛的研究与关注。发挥场效应实现“高效率发光与亮度调控集成”是
QLET研究的前沿与应用的关键。但如何基于器件结构的设计与栅极形式的优化最大限
度的发挥场效应，精准调控
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