电化学气体传感器(共20张PPT).pptx

电化学气体传感器;14气体传感器;半导体气体传感器是利用待测气体与半导体表面接触时，产生的电导率等物理性质变化来检测气体的。

按照半导体与气体相互作用时产生的变化只限于半导体表面或深入到半导体内部，可分为表面控制型和体控制型。

表面控制型：半导体表面吸附的气体与半导体间发生电子接受，结果使半导体的电导率等物理性质发生变化，但内部化学组成不变；

体控制型：半导体与气体的反应，使半导体内部组成发生变化，而使电导率变化。;一般其固有电阻值在(103～105)Ω范围。

当半导体器件被加热到稳定状态，在气体接触半导体表面而被吸附时，被吸附的分子首先在表面物性自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处（化学吸附）。

（c）输出电压比灵敏度KV

Ra—气敏元件在洁净空气中的电阻值；

由??始通电直到气敏元件阻值到达稳定所需时间,称为初期稳定时间。

为气敏元件提供必要工作温度的加热电路的电阻(指加热器的电阻值)称为加热电阻，用RH表示。

由于空气中的含氧量大体上是恒定的，因此氧的吸附量也是恒定的，器件阻值也相对固定。

按照半导体与气体相互作用时产生的变化只限于半导体表面或深入到半导体内部，可分为表面控制型和体控制型。

当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时，吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，半导体表面呈现电荷层。

气体传感器是用来检测气体类别、浓度和成分的传感器。

按照半导体变化的物理特性，又可分为电阻型和非电阻型。

2.

将电阻型气敏元件在常温下洁净空气中的电阻值，称为气敏元件(电阻型)的固有电阻值，表示为Ｒａ。

半导体气体传感器的机理

(1)MOS二极管气敏器件

图14-2半导体气体传感器的敏感元件;半导体气体传感器的机理

半导体气体传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。

当半导体器件被加热到稳定状态，在气体接触半导体表面而被吸附时，被吸附的分子首先在表面物性自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发???，另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处（化学吸附）。

当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时，吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，半导体表面呈现电荷层。例如氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。

如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能，吸附分子将向器件释放出电子，而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化合物和醇类，它们被称为还原型气体或电子供给性气体。;(b)薄膜型元件

半导体气体传感器的机理

由开始通电直到气敏元件阻值到达稳定所需时间,称为初期稳定时间。

2.

当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时，吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，半导体表面呈现电荷层。

当还原型气体吸附到N型半导体上，氧化型气体吸附到P型半导体上时，则载流子增多，使半导体电阻值下降。

旁热式气敏器件结构及符号

由开始通电直到气敏元件阻值到达稳定所需时间,称为初期稳定时间。

表示气敏元件对被测气体的识别（选择）以及对干扰气体的抑制能力。

Vg—气敏元件在规定浓度被测气体中工作时，负载电阻上的电压

它是利用MOS二极管的电容—电压特性的变化以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等物性而制成的气敏元件。

电阻型半导体气体传感器

直热式的加热电阻值一般小于5Ω；

（6）气敏元件的恢复时间

UT：ID是流过时的最小临界电压值

体控制型：半导体与气体的反应，使半导体内部组成发生变化，而使电导率变化。;图14-1N型半导体吸附气体时器件阻值变化图;半导体气体传感器类型及结构

1.电阻型半导体气体传感器

SnO2系列气敏元件有烧结型、薄膜型和厚膜型三种。烧结型应用最广泛性。

;(c)厚膜型元件;烧结型SnO2气敏元件

其敏感体用粒径很小(平均粒径≤１μm)的SnO2粉体为基本材料，根据需要添加不同的添加剂，混合均匀作为原料。主要用于检测可燃的还原性气体，其工作温度约300℃。根据加热方式，分为直接加热式和旁热式两种。;（2）旁热式SnO2气敏元件;2.非电阻型半导体气体传感器

非电阻型气敏器件也是半导体气体传感器之一。它是利用MOS二极管的电容—电压特性的变化以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等物性而制成的气敏元件。

由于类器件的制造工艺成熟，便于器件集成化，因而其性能稳定且价格便宜。利用特定材料还可以使器件对某些气体特别敏感。;(1)MOS二极管气敏器件