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CRSM088N12N
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS3NMOSFET120V,7.3m,60A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS3technologyVDS120V
•ExtremelylowonresistanceRDS(on)RDS(on)@10Vtyp7.3m
•ExcellentQxRproduct(FOM)RDS(on)@8Vtyp7.9m
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteriaID60A
Applications100%100%100%AvalancheTestedAvalancheTestedAvalancheTested
•Motorcontrolanddriv100%DVDSTested100%DVDSTested100%DVDSTested
•Batterymanagement
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSM088N12N
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagPackingRlSizTapeWidthQty
CRSM088N12NCRSM088N12NDFN5X6TapeRlN/AN/A5000pcs
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
DrainsourcevoltagVDS120V
Continuousdraincurrent
TC=25°C(siliconlimit)71
IDA
T=25°C(Packagelimit)60
C
T=100°C(
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