工程材料及成形工艺（第3版）课件：材料的结构.pptx

材料的结构;金刚石石墨石墨烯;3.1.1原子间的结合键;金属原子的外层电子数少(一般为1-2个，最多不超过4个）外层电子与原子核结合力弱，容易脱离原子核而成为自由电子。失去层外电子的原子核变成带电正离子。;金属键与金属特性的关系;2离子键;?得失电子能力相近的原子相互靠近时，其原子间不会有电子转移，而是相邻原子均提供电子形成共用电子对，使原子最外层电子达到稳定状态。这种依靠共用电子对形成的结合键称为共价键。如金刚石、硅、碳化硅等。;4分子键;5结合力与结合能;3.1.2晶体结构;非晶体;2晶体结构基础知识;;总共有7大晶系，14种空间点阵;Cu、Al、Ag、Ni;;;1晶向指数;2晶面指数;练习1求图（a）（b）中所示的立方晶系的晶向指数和晶面指数。;3.1.5晶体的各向异性;晶体缺陷;点缺陷是指在三维尺度上都很小，不超过几个原子直径的缺陷。

点缺陷分为：空位，间隙原子，置换原子。;点缺陷，会造成晶格畸变，这将对金属的性能产生影响，如使屈服强度升高，电阻增大，体积膨胀等。此外，点缺陷的存在，将加速金属中原子的扩散过程。;2线缺陷;刃型位错的模型如图所示。设有一简单立方体，某一原子面在晶体内部中断，这个原子平面中断处的边缘就是一个刃型位错。;2）螺型位错

螺型位错的模型如图所示。螺型位错的特征：

①没有额外的半原子面，但位错线附近原子呈螺旋形排列。

②螺型位错线是一个具有一定宽度的细长的晶格畸变管道，只有切应变，其应力场呈轴对称分布。

③螺型位错线与晶体滑移方向平行，运动方向与位错线垂直。;4）位错的运动

在外力作用下位错在某一平面上沿着某一方向移动，直到运动到晶体表面，使得位错消失，最终形成一个台阶，台阶的大小为一个原子间距，这是一种微观的变形量。

当在晶体中有许多位错进行相同的运动后，就产生了宏观的变形量，使晶体发生塑性变形。

位错运动是塑性变形的主要形式，可利用它来生产零件。;①理想晶体没有位错等晶格缺陷，强度很高。

②目前能够制备的几乎不含有位错的小晶体（晶须——直径0.05~2um长2~10mm）具有极高的强度，达13400MPa。

③退火金属中位错密度一般为0.01~1/μm2，强度最低。少量位错的存在使晶体强度大大下降。;3面缺陷;晶界的特点

①原子排列不规则。

②熔点低。

③耐蚀性差。

④易产生内吸附，外来原子易在晶界偏聚。

⑤阻碍位错运动，是强化部位，因而实际使用的金属力求获得细晶粒。

⑥是相变的优先形核部位。;多晶体性能特点;相界

具有不同晶体结构的两相之间的分界面称为相界。;高分子材料的主要组分是高分子化合物，高分子化合物是相对分子量大于5000的有机化合物的总称，也称为聚合物或高聚物。;陶瓷是由金属或非金属的化合物构成的多晶固体材料，其结构比金属晶体复杂得多。陶瓷多晶固体材料有以离子键为主要键构成的离子晶体，也有以共价键为主要键构成的共价晶体。

特点：熔点、硬度高，耐腐蚀，塑性差