《电工电子技术基础及应用实践》课件 第6章 半导体器件.pptx

《电工电子技术》

第六章半导体器件

本章内容§1半导体基础知识§2PN结§3半导体二极管§4稳压二极管§5双极型晶体管§6场效应管简介§7光电器件

§1半导体特性§1半导体特性§2本征半导体§3杂质半导体

§1半导体特性导体绝缘体按导电性能自然界物质的分类物质结构＝原子核＋核外电子最外层电子数1~3个，距原子核较远，常温下导体内有大量的自由电子，因此，导电能力强。导电材料有银、铜、铝等。半导体最外层电子数通常4个，导电性能介于导体和绝缘体之间，具有光敏性、热敏性和参杂性。半导体材料有硅、锗、硒等最外层电子数6~8个，因距原子核很近而束缚力极强，绝缘体内几乎没有自由电子而不导电。如橡胶、云母、陶瓷等。

§1半导体特性半导体的独特性能金属导体的电导率一般在105s/cm量级；塑料、云母等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电导率则在10-9~102s/cm量级。半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的：光敏性——半导体受光照后，其导电能力增大很多；热敏性——温度上升时，半导体导电能力大大增强；掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强.

§2本征半导体本征半导体最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，即每个原子最外层电子数为4个。++Si(硅原子)Ge(锗原子)硅原子和锗原子的简化模型图Si+4Ge+4因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子核只用带圈的+4符号表示即可

§2本征半导体天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经过高度提纯，形成晶格结构完全对称的本征半导体。在本征半导体的晶格结构中，每一个原子均与相邻的四个原子结合，即与相邻四个原子的价电子两两组成电子对，构成共价键结构。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4实际上半导体的晶格结构是三维的。晶格结构共价键结构

§2本征半导体＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。在游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。本征激发的结果，使半导体内部自由电子载流子运动产生，本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。＋＋

§2本征半导体价电子填补空穴的现象称为复合。参与复合的价电子又会留下一个新的空位，这个新的空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子再填补上，这种价电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同于本征激发下的电荷迁移，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空穴载流子运动。＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使失电子的原子重新恢复电中性。

§2本征半导体＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4自由电子载流子运动可以形容为没有座位人的移动；空穴载流子运动则可形容为有座位的人依次向前挪动座位的运动。运动总人数在移动过程中并未发生变化。半导体内部的本征激发和复合两种运动总是共存的，且在一定温度下达到动态平衡。

§2本征半导体在金属导体中存在大量的自由电子，这些自由电子是一种带电的微粒子，在外电场作用下定向移动形成电流。即金属导体内部只有自由电子一种载流子参与导电。半导体由于本征激发而产生自由电子载流子，由复合运动产生空穴载流子，因此，半导体中同时参与导电的通常有两种载流子，且两种载流子总是电量相等、符号相反，电流的方向规定为空穴载流的方向即自由电子的反方向。这一点正是半导体区别于金属导体在导电机理上的本质差别，同时也是半导体导电方式的独特之处。半导体的导电机理

§3杂质半导体本征半导体的导电能力很低。但若在本征半导体中掺入某种元素的微量杂质，则半导体的导电性能会大大增强。室温下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。+五价元素磷(P)＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4P掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子的数量大大增加。因此自由电子是这种半导体的导电主流。

§3杂质半导体＋4＋4＋