热电半导体温度传感片的单臂结构及制备工艺.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103698035A

(43)申请公布日2014.04.02

(21)申请号CN201310652532.9

(22)申请日2013.12.05

(71)申请人宁波工程学院

地址315211浙江省宁波市风华路201号

(72)发明人崔教林吴文昌

(74)专利代理机构宁波奥凯专利事务所(普通合伙)

代理人白洪长

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

热电半导体温度传感片的单臂结构

及制备工艺

(57)摘要

本发明涉及一种热电半导体温度传

感片的单臂结构及制备工艺，是针对解决

现有同类产品因内部的热应力较大而出现

热裂的技术问题。该热电半导体温度传感

片的单臂结构包括热电半导体，及位于热

电半导体两端的Cu导流片。热电半导体的

两端与各自Cu导流片之间设有三个过渡

层，分别为喷Ni层、镀Ni层、镀Sn

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

未缴年费专利权终止IPC(主分

类):G01K7/01专利

2022-11-11号:ZL2013106525329申请专利权的终止

日权公告

日

权利要求说明书

1.一种热电半导体温度传感片的单臂结构，该单臂结构包括热电半导体，及位于热

电半导体两端的Cu导流片（4），其特征在于所述热电半导体的两端与各自Cu导

流片（4）之间设有三个过渡层，分别为喷Ni层（1）、镀Ni层（2）、镀

Snsub95/subAgsub5/sub层（3），由热电半导体的端部至Cu导流片表面

依次为喷Ni层、镀Ni层、镀Snsub95/subAgsub5/sub层。

2.一种如权利要求1所述的热电半导体温度传感片的单臂结构的制备工艺，其特征

在于该制备工艺包括以下步骤：

步骤一：喷Ni层（1），先在200supo/supC温度下采用YW-201水溶性助剂

去除热电半导体两端面的表面氧化物，然后在热电半导体两端面喷Ni，喷Ni层的

厚度控制在0.15～0.25微米，将喷Ni后的热电半导体在50supo/supC～

60supo/supC的真空环境中烘烤9～11小时；

步骤二：镀Ni层（2），镀Ni前采用YW-201水溶性助剂去除喷Ni层表面的表面

氧化物，然后采用射频磁控溅射法在喷Ni层表面镀Ni，镀Ni层厚度控制在

0.15～0.25微米，镀Ni后在50supo/supC～60supo/supC的真空环境中进

行4~6小时的退火热处理；

步骤三：镀Snsub95/subAgsub5/sub层（3），采用热浸焊法将第二步得

到的热电半导体浸在熔融的Snsub95/subAgsub5/sub液体中，浸渍时间

2～3秒，取出清洗后，在50supo/supC～60supo/supC的真空环境中烘烤

9～11小时；

步骤四：钎焊：以Snsub95/subAgsub5/sub作为焊剂，在第三步得到的热

电半导体镀Snsub95/subAgsub5/sub层的端面钎焊至Cu导流片（4）上；

步骤五：将第四步制得的热电半导体单臂在50supo/supC～60supo/supC

的真空环境中退火9～11小时。

说明书

p技术领域

本发明涉及温度传感片，尤其是一种热电半导体温度传感片的单臂结构及制备工艺。

背景技术

温度传感器