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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101555627A
(43)申请公布日2009.10.14
(21)申请号CN200910031266.1
(22)申请日2009.04.30
(71)申请人苏州纳晶光电有限公司
地址215125江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
(72)发明人王怀兵孔俊杰杨辉梁秉文
(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人陶海锋
(51)Int.CI
C30B29/38
C30B29/40
C30B25/02
C30B33/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种氮化镓基外延膜的激光剥离方
法
(57)摘要
本发明公开了一种氮化镓基外延膜
的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多
层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔离
形成氮化镓基单元器件，将划片槽划穿至
蓝宝石衬底表面，并在划片槽中填充保护
材料；以金属层作为中间层，将所述氮化
镓基外延膜连接于高导热导电衬底上；对
激光光斑进行整形，将投影在蓝宝石衬底
和氮化镓基外延膜界面处的光斑处理为图
形化光斑阵列，该图形化光斑可有效降低
和抑制激光冲击波应力；采用上述图形化
光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和
氮化镓界面处，使界面处的氮化镓发生分
解，实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分
离。本发明实现了低损伤激光剥离，大大
降低了氮化镓基外延膜的损伤，提高了芯
片良品率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜，制作划片槽，分隔形成氮化镓基单元器
件，然后将所述划片槽划穿至蓝宝石衬底表面，在划片槽中填充保护材料；
(2)以金属层作为中间层，将所述氮化镓基外延膜连接于高导热导电衬底上；所述
金属层为Au层或AuSn合金层；
(3)对激光光斑进行整形，将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处
理为图形化光斑阵列；所述图形化光斑阵列的光斑直径为5～200μm，周期为10～
200μm，且其光斑能量为平顶、高斯或近高斯分布；
(4)将上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处，使界面
处的氮化镓发生分解，实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基外延膜的激光剥离方法，其特征在于：所述步骤
(1)中的保护材料为聚酰亚胺、二氧化硅、环氧树脂或绝缘硅胶。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基外延膜的激光剥离方法，其特征在于：所述步骤
(2)中的高导热导电衬底为Si或Cu衬底。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基外延膜的激光剥离方法，其特征在于：所述步骤
(3)中的图形化光斑阵列的光斑形状为矩形或圆形。
5.一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜；
(2)以胶或者石蜡作为中间层，将上述氮化镓基外延膜连接于玻璃或者Si衬底上；
所述胶为硅胶或环氧树脂；
(3)对激光光斑进行整形，将投影在蓝宝石衬底和氮化镓基外延膜界面处的光斑处
理为图形化光斑阵列；所述图形化光斑阵列的光斑直径为5～200μm，周期为10～
200μm，且其光斑能量为平顶、高斯或近高斯分布；
(4)将上述图形化光斑阵列透过蓝宝石照射到蓝宝石衬底和氮化镓界面处，使界面
处的氮化镓发生分解，实现氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离；
(5)去除上述玻璃或者Si衬底，即得到氮化镓基外延膜。
说明书
技术领域
本发明涉及一种激光剥离方法，具体涉及一种蓝宝石衬底上氮化镓基外延膜的激光
剥离方法。
背景技术
目前，氮化镓基
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