2024年电子科技大学832微电子器件考研真题.docx

考试科目：832微電子器件

一、填空題（共45分，每空1.5分）

1、根据输运方程，载流子的（扩散）電流重要与载流子浓度梯度有关，而（漂移）電流重要与载流子浓度有关。

2、俄歇复合的逆過程是（碰撞電离）。

3、當PN結反偏時候，反向電流由（少子）扩散電流和势垒区（产生）電流构成。

4、在二极管的反向恢复過程中，中性区存储的非少子浓度減少有两個原因，一是（载流子复合），二是（反向電流抽取）。

5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一种区的長度遠不不小于该区的（少子扩散長度）。在其他条件相似的状况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散電流越大。

6、（热击穿）又称為二次击穿，這种击穿一般是破壞性的。

7、双极型晶体管的基区少子渡越時间是指少子在基区内從发射結渡越到集電結的平均時间，等于（基区非平衡少子電荷）除以基区少子電流。

8、半导体薄层材料的方块電阻与材料的面积無关，而与（掺杂浓度）和（厚度）有关。（备注：填電阻率和厚度也可以）。

9、双极型晶体管的電流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止電流具有（正）温度系数。（填”正”，”负”或”零”）

10、双极型晶体管用于数字電路時，其工作點设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟電路時，其直流工作點设置在（饱和）区。

11、由于短沟道器件的沟道長度非常短，来源于漏区的電力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，导致源漏之间的（势垒高度）減少，從而导致漏极電流的（变大）。（第二個空填”变大”，”变小”或”不变”）

12、高频小信号電压是指信号電压是指信号電压的振幅不不小于（KT/q）；高频小信号一般是叠加在（直流偏置）上的。

13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN結击穿），一种是（沟道穿通）。

14、漏源交流短路的状况下，MOSFET的（沟道载流子）電荷随（栅极）電压的变化，定义為MOSFET的本征栅极電容。

15、長沟道MOSFET的跨导与沟道長度（成反比），与栅源電压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道長度（無关）。（填”成正比”，”成反比”、”成平方关系”或”無关”）。

二、简答与作图題（共50分）

1、简要论述PN結扩散電容的物理意义。（6分）

PN結扩散電容只存在于PN結正向导通的状况。（2分）當PN結两端加的正向偏置发生变化時，存储在中性区的非平衡载流子浓度将发生变化，产生電容效益，這個電容称為PN結扩散電容。（4分）

2、简要论述韦伯斯脱（Webster）效应产生的机理以及体現的物理現象。（6分）

Webster效应产生的原因是：當PN結发生大注入時，在中性区會由于非平衡少子与非平衡多子在空间上的分离产生自建電場，這個自建電場對非平衡少子的扩散起到了加强的作用。（4分）体現的現象是中性区非平衡少子的扩散系数等效為翻倍了。（2分）

3、双极型晶体管构造中包括两個背靠背的PN結，那么，能否用两個背靠背的PN結二极管来实現双极型晶体管的電學特性？為何？（6分）

不能。（2分）

由于双极型晶体管的原理是运用正偏PN結提供的载流子控制流過反偏PN結流過的電流，因此双极型晶体管能正常工作的前提是两個PN結之间存在耦合，即双极型晶体管的基区足够窄，来自发射区的大部分载流子都能通過基区抵达集電結，。而两個背靠背的二极管是互相独立的，正偏二极管的電流并不能影响反偏二极管的工作状态。（4分）

4、對双极型晶体管的共发射极输出特性曲线進行测试時，获得了下图中的两组异常输出特性曲线。請問：這两组曲线和正常的共发射极输出特性曲线相比，存在什么問題？产生以上問題的原因是什么？（8分）

（a）（b）

答：（a）的异常是小電流時曲线间距变小。（2分）原因是大電流時候由于大注入和基区宽度扩展效应，导致放大系数的減少。（2分）

（b）的异常是线性区電流随Vce的增長而增長。（2分）原因是发生了early效应。（2分）

5、為了減小MOSFET的栅源寄生電容、栅漏寄生電容，改善MOSFET的频率特性，一般采用自對准工艺来制备MOSFET。（7分）

（1）請简述自對准工艺的流程；

（2）采用自動准工艺對MOSFET的栅极材料有何规定？為何？

答：（1）流程：首先热氧化栅氧化层，再在栅氧化层上淀积多晶硅，對多晶硅進行光刻和刻蚀，做出栅電极，再以多晶硅作為掩模進行离子注入，自對准形成源漏区。這样源漏区与多晶硅栅的交叠非常少，因此寄生電容小。（4分）

（2）自對准工艺规定MOSFET的栅极材料為多晶硅，不能用Al，（1分）由于源漏区扩散的温度很高，而Al的熔點低，無法承受高温，而多晶硅的熔點高于扩散温度。（2分）

6、一种N沟MOSFET，其漏源電压VDS=0，衬底偏置VBS=0，栅源電压VG