H2在SiO2中裂解机制的第一性原理研究 (2).docx

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论文题目:H2在SiO2中裂解机制的第一性原理研究

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本文通过使用VASP计算软件,以及MaterialStudio和p4vasp软件对H2在SiO2中裂解机制进行了研究。通过查阅相关文献,以及学习相关软件的操作,对相关研究机理和实验现象有了初步的认识。

首先通过查阅文献确定了研究目标,选取α?石英作为研究目标。以及确定了两种研究的缺陷体系,主要研究的氧空位缺陷是Eγ和Eδ两种。在体系优化上,先没有缺陷的二氧化硅进行驰豫优化,在驰豫优化的同时对平面波截断能进行测试,最终选取400eV作为截断能。在优化后的二氧化硅基础上,构造Eγ

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