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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102877133A
(43)申请公布日2013.01.16
(21)申请号CN201210365201.2
(22)申请日2012.09.26
(71)申请人北京七星华创电子股份有限公司
地址100015北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层
(72)发明人黄鸣丁文革谭三成曹永新
(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司
代理人王莹
(51)Int.CI
C30B29/36
C30B23/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
碳化硅晶体生长炉
(57)摘要
本发明公开了一种碳化硅晶体生长
炉，包括：干泵、与炉体依次连接的气动
插板阀、分子泵、气动阀和真空规，以及
与所述气动阀连接的压力计；运动单元，
包括线圈移动控制机构和绝热套移动控制
机构；加热单元，包括高温计、射频电
源、线圈、设置在炉体内的绝热套和设置
在绝热套内的坩埚，所述射频电源与线圈
连接，所述绝热套移动控制机构和所述线
圈移动控制机构控制所述线圈与所述绝热
套的升降移动。本设备能够在SIC晶体生
长过程中合理的控制坩埚内部的气压，利
用线圈和绝热套相匹配的移动来控制坩埚
内的径向温度梯度，对炉内压力场和温度
场进行优化，从而来保证坩埚内部温度的
合理分布。将晶体中的缺陷降到最低，从
而控制晶体的品质。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种碳化硅晶体生长炉，其特征在于，包括：
真空单元，包括：干泵（9）、与炉体依次连接的气动插板阀（4，
5）、分子泵（6，7）、气动阀（2，3）和真空规（20），以及与所述气
动阀（2，3）连接的压力计（18），所述压力计（18）用于显示炉体
内真空度；
质量流量计组，用于对炉体内充气的流量进行控制；
运动单元，包括线圈移动控制机构（11）和绝热套移动控制机构
（12）；
加热单元，包括高温计（13）、射频电源（14）、线圈（15）、设
置在炉体内的绝热套（16）和设置在绝热套内的坩埚（17），所述射
频电源（14）与线圈（15）连接，所述绝热套移动控制机构（12）和
所述线圈移动控制机构（11）控制所述线圈（15）与所述绝热
套（16）的升降移动。
2.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长炉，其特征在于，真空单元还
包括：干泵（10）、与干泵（10）并联的气动阀（1）以及与所
述干泵（10）依次连接的变频器（19）和气动阀（8）。
3.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长炉，其特征在于，所述质量流
量计组（22）通过与所述质量流量计组（22）相对应的流量气
动阀组（23）与炉体连接。
4.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长炉，其特征在于，所述线圈移
动控制机构（11）和绝热套移动控制机构（12）为设置在炉体
外部的步进电机和驱动器。
5.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长炉，其特征在于，所述高温计
（13）设置在炉体上的测温孔（131）中。
6.如权利要求3所述的碳化硅晶体生长炉，其特征在于，所述
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