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意法esdalc6v1-5p6深圳恒锐丰科技.pdf

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ESDALC6V1-5P6

ESDprotectionforhighspeedinterface

Features

■Diodearraytopology

■Lowcapacitance(12pFtypical)

■Lead-freepackage

SOT666

Benefits

■Lowcapacitanceuni-directionalESD

protection.

2

■LowPCBspaceconsuming,2.5mmmax.Figure1.ESDALC6V1-5P6functional

footprintdiagram

■Lowleakagecurrent

■Highreliabilityofferedbymonolithicintegration

Complieswiththefollowingstandards

■IEC61000-4-2level4:

–8kV(contactdischarge)

–15kV(airdischarge)

■MILSTD883G-Method3015-7:class3B

–Humanbodymodel

Applications

WheretransientovervoltageprotectioninESD

sensitiveequipmentisrequired,suchas:

■Computers

■Printers

■Communicationsystems

■Cellularphonehandsetsandaccessories

■Videoequipment

Description

TheESDALC6V1-5P6isamonolithicarray

designedtoprotectupto5linesagainstESD

transients.

Thedeviceisidealforhighspeedinterface

applicationswherebothreducedprintedcircuit

boardspaceandpowerabsorptioncapabilityare

required.

November2007Rev31/8

8

CharacteristicsESDALC6V1-5P6

1Characteristics

Table1.Absoluteratings(Tamb=25°C)

SymbolParameterValueUnit

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